GB-T7666-2005 传感器命名法及代码.pdf

ICS17.020
中人民共和国国家标准
GB/T7666~-2005
代替GB/T7666-1987
传感器命名法及代码
Nomenclature and code for transducers
2005-07-29发布
2006-02-01实施
中国国家标准化管理委页会发布
GB/T7666~2005
自次
前言
范園…
传感器命名方法
3传感器代号标记方法…
4传感器代号…
附录A(资料性附录)传感器产品名称与标记代号对照表……
GB/T7666-2005
前言
本标准沿袭了GB/T7666~1987的结构
本标准代替GB/T7666-1987。
本标准与GB/T7666-1987相比主要变化如下
a)2.1.5括号中“灵敏度”修改为“精度”。
b)2.2.3中“简化表征”修改为“命名”。
c)3中“…拼音字母和阿拉伯数字……”修改为“……拼音字母(或国际通用标志)和阿拉伯数
字
d)3.1中增加“注:代号标记方法按2.2.3执行”。
)3.2.2中“…依此类推。当被测量…”修改为“…依此类推。当被测量有国际通用标志
时,应采用国际通用标志。当被测量…
f)表2中删除被测量“[表压”、“[差]压”、“[绝]压”及其它们的代号。
g)表2中被测量“速度”的代号修改为“V”
h)表2中被测量“声”的代号修改为“SH”。
i)表2中被测量“血压”的代号修改为[X]Y”。
j)附录A中删除产品名称“表压传感器”、“差压传感器”、“绝压传感器”及其标记代号
k)附录A中“速度传感器”标记代号修改为“CV-”;“磁电式速度传感器”标记代号修改为“CV
CD"”;“光纤速度传感器”标记代号修改为“CV-GX-”
1)附录A中“声传感器”标记代号修改为“CSH-
m)附录A中“pH值传感器”修改为“pH传感器”。
n)附录A中“血压传感器”标记代号修改为“CLX]Y-”;“应变[计]式血压传感器”标记代号修改
为“CLX]Y-YB-”;“压阻式血压传感器”标记代号修改为“ CIXY-Y2-”;“光纤式血压传感器”
标记代号修改为“CLX]Y-GX-”
本标准的附录A为资料性附录。
本标准由仪器仪表元器件标准化技术委员会提出并归口。
本标准由沈阳仪表科学研究院负责起草,大连理工大学、清华大学、华中科技大学、长春应用化学研
究所、信息产业部电子第四十九所、中国科学院合肥智能研究所等参加起草。
本标准主要起草人:赵忠减、李妍君、唐祯安、周兆英、廖延彪、任恕、王玉江、王善慈、虞承端、林洪、
孙仁涛。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为
GB/T7666-1987
CB/T7666--2005
传感器命名法及代码
范围
本标准规定了传感器的命名方法、代号标记方法、代号。
本标准适用于传感器的生产、科学研究、教学以及其他有关领域
2传感景命名方法
2.1命名法的构成
种传感器产品的名称,应由主题词加四级修佈语构成
2.1.1
主题词一一传感器
第一级修饰语一一被测量,包括修饰被测量的定语
第二级修饰语一一转换原理,一般可后续以“式”字
2.1.4
第三级修佈语特征描述,指必须强调的传感器结构、性能、材料特征、敏感元件以及其他必要的
性能特征,一般可后续以“型”字。
2.1.5
第四级修饰语一一主要技术指标(量程、测量范围、精度等)
2.2命名法范例
2.2.1题目中的用法
本命名法在有关传感器的统计表格、图书索引、检素以及计算机汉字处理等特殊场合,应采用2.1
所规定的顺序。
示例1:传感器,位移,应变[计]式,100mm;
注:[]内的词,在不引起混滑时,可省略(下同)。
示例2:传感器,声压,电容式,100~160dB;
示例3:传感器,加速度,压电式,士20g
示例4:传感器,压力,压阻式,[单晶]硅,600kPa
示例5:传感器,差压,谐振式,智能型,35kPa
2.2.2正文中的用法
在技术文件、产品样本、学术论文、教材及书刊的陈述句子中,作为产品名称应采用与2.1相反的
顺序。
示例1:100mm应变式位移传感器;
示例2:100~160dB电容式声压传感器;
示例3:土20g压电式加速度传感器;
示例4:600kPa[单晶]硅压阻式压力传感器
示例5:35kPa智能[型]请振式差压传感器。
2.2.3修饰语的省略
当对传感器的产品名称命名时,除第一级修饰语外,其他各级可视产品的具体情况任选或省略。
示例1:业已购进150只各种测量范固的半导体压力传感器
GB/T7666-2005
示例2:广告中介绍了我厂生产的电容式液位传感器
示例3:附加的测试范围只适用于差压传感器。
示例4:订购100mm位移传感器10只。
示例5:加速度传感器可用作汽车安全气囊
2.2.4传盛器命名构成及各级修饰语举例一览表
表1列举了典型传感器的命名构成及各级修饰语的示例,可供传感器命名时参照。
表1典型传感器命名构成及各级修饰语举例一览表
第四级修饰语一技术指标
第三级修饰语一一特征
主题词第一級修饰语第二级修饰语描述(传感器结构、性
范(量程
被测量
一转换原理能,材料特征、敏感元
测量范围、灵
单位
件或辅助揩施等
敏度等)
压力
压阻式
[单晶]硅
0~2,5
Mpa
应变式
柱式[结构
0~100
重量(称重)
应变式
悬臂梁式[结构
0~-10
力矩
应变式
静扭式[结构
速度
磁电式
600
加速度
电容式
[单晶]硅
士5
振动
磁电式
流量
电磁[式]
插人式[结构
0.5~10
位移
电涡流[式]
非接触式[结构
液位
压阻式
投入式[结构]
0~100
厚度
超声(波)式
传感器
角度
伺服式
士1~士90
(度
密度
谐振式
温度
光纤[式]
80~2500
(红外)光
光纤[式
磁场强度
霍尔[式]
砷化镓
0~2
电流
崔尔[式]
砷化镓或锑化铟
1200
电压
电感式
0~-1000
(噪)声
40~12
(O2)气体
电化学
%VOL
湿度
电容式
高分子薄膜
10~90
DRH
结露
94~100
%6RH
H
参比电极型
2~+16
(PH)
注;()内的词为可換用词,即同义词(下同