SJ 50033.133-1997 半导体分立器件SY5629~5665A型瞬态电压抑制二极管详细规范.pdf

中华人民共和国电子行业军用标准
FL5961
S50033/133-97
半导体分立器件
SY5629~5665A型
瞬态电压抑制二极管
详细规范
Semiconductor discrete devices
Detail specification for type SY5629-5665A
tramsient voltage suppression diodes
1997-06-17发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准
中华人民共和国电子行业军用标准
半导体分立器件
SY5629~5665A型瞬态电压抑制二极管
S50033/133-97
详细规范
Semiconductor discrete devices
Detail specification for types SY5629-5665A
transient voltage suppression diodes
范围
1.1主题内容
本规范规定了SY5629~5665A型瞬态电压抻制二极管(以下简称器件)的洋细要求。
1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购
1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。
1.3.1器件的等级
接GJB3385《半导体分立器件总规范〉1.3的规定,提供的质量保证等级为習军、特军和
超特军三级,分别用字母GP,GT和GCT表示。
2引用文件
GB6571-86小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法
GB7581-87半导体分立器件外形尺寸
GB33-85半导体分立器件总规范
GB128-86半导体分立器件试验方法
3要求
详细要求
各项要求应按Gn533和本规范的规定
3.2设计和结构
器件的设计和结构应按本规范的规定。
3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料下引线为无氧铜丝、上引线为铺包钢丝,引出端表画应为锡层和镍层。
中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布
1997-10-01实施
S50033/133-97
2.2器件结构
器件结构是金属全密封空腔结构,芯片为外延或扩散台面型,芯片和引线之间采用高温治
金键合。
3.2.3外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581的D2-09A型和本规范的规定(见图1)。
G
2
印章
尺寸
符号
的2pの2GG,L「L1「2
n
0.64
25.4
25,4
D2~-09A
max
0.955.962.549.0615.0L
4.77
图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
TA=25±3℃
Tk=25±3℃
5~150
注:1)tn=ims、,=10s,当T=25℃时,峰偵脉冲功率见图3。
2)当T>25℃时,按8mW/K线性降额。
3.3.2主要电特性
主要电特性应符合本规范要求,见表5第2栏~第4栏。
3.4电测试要求
电测试应符合GB6571及本规范的规定。
3.5标志
标志应符合GJB33和本规范的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
S56%33/133-97
抽样和检验应按GIB33的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定
4.3筛选(仅对GT和GCT级)。
筛选应符合?JB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范中表1的规定进行。超过
本规范表1极限值的器件应予剔除。
媂选
试验方法
条
件
测
试
(见GJB33表)(CJB128)
3.热冲击
051
低温:-55℃
循环:20次,其余同F
6.高温反偏
1038与第8项合并进行
7.中间电参数
Vx=VRwx(表5第4栏的值)k
R=(om:(表5第3栏的值)
8.功率老炼
见4.5,4、时间:96h
9.最后测试
按表1规定
△lR不大于初始值的
50%或1aA,取较大者。
△Vg3,不大于初始
值的2%
10.密封
a)细检漏
试验条件H
b)粗检漏
试验条件C
1.外观及机
2071
打标志后进行
械检验
4.4质量一致性检验
质量一致性检验应符合GJB33的规定。
4.4.1A组检验
A组检验应按G]B33和本规范表1的规定进行。
4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法按本规范相应的表和下列的规定进行
4.5.1脉冲测试(正向压降)
脉冲测试应按GJB128中3.3.2.1的规定。
4.5.2最大峰值脉冲电流(Ip)
应在反向偏压不低于VgwM的同时,反向施加相应的峰值电流。
在反向施加具有下述电流与时间关系波形的峰值电流。