QJ 787-1983 半导体分立器件筛选技术条件.pdf

中华人民共和国航天工业部部标准
QJ787-83
半导体分立器件筛选技术条件
天工业刻
标页专用
1983-12-01发布
1984-10--01实施
中华人民共和国航天工业部批准
录
总则w"""":(1)
筛选前的检查及准备
8,筛选程序…mm……m""mmmm
4。选项目条件与要求"2)
5?应力筛选后的测试……5)
中华人民共和国航天工业部
部标准
787-83
半导体分立器件筛选技术条件
总则
筛选工作的要求
1.1,1范围:本技术条件是为我部对可靠性有较高要求的重点工程所結的半导体二、三极管而制
订的,并作为我部整机厂和其他使丌单位向半导体厂订货时依据。型号仪器上用的半导体二、三极管
必須被本技术条件进行100%的筛选,经筛选合格的半导体二、三极管才能提供“优选”装
1.2筛选工作由半导体器仲よ厂或整机厂实施,筛远工作原则上应在器件生产厂进行,凡在生
产厂进行筛选过的半导体器件,只姜筛选条件足本技术条件的要求,可以不再进行筛选或补做某些
筛选项目,筛选不符合要求約产品不能作为合格品出厂或装机。
半导体器件:产厂没有进行筛选成筛逸不充分的半导体器件由整机单位按本技术条件要求进行筛
选或补充筛选。补充筛选条件南整觇单位可靠罰门经摸底后提出,上级技术导批准。
1,1.3参加斾选的半导体器件应是设计及工艺合理并稳定的产品,可邹性部门立了解半导体器
的设计、工艺和筛选情沅;设计或工艺不合理,不稳定的半导体器件不能作为合格品交付或投入筛
1.1,4筛选过必须与失分析砲合,通过失效分析确定质量水平,批质最差的产品(淘汰率超
过本技术条件规定指标肘)要整批淘汰,不能简单剔除失效品后出厂或投入装机。
2筛选目的
1,2.1淘汰工艺过程中引进的各种欠而造成的早期失效半导体器件,提高批产品的可罪性,使之
尽量接近固有可靠性。
1,2。2起考核作用,搞清批质量水平,决定这一批次能否使用。
筛选条件制订原则
3.1要能有效地剔除早期失效品,但不能缩短正常寿命。
1,3,2针对产品的特点及失效模式和使用要求制定篩选条件。
3,3加应力筛选在前,检查、测试性的筛选在后
1.3.4为提高筛选效率,可以用大应力筛选,但不能产生新的失效模式。
14筛选设备要求
半导体器件生产厂和我部筛选单位用的筛选设备必须有专人负责,定期计量。设备性能要求符合
指标,并稳定可靠。老化及测试过程中供电能稳定,不允许有寄生振满,附加的漏电和干扰。
5筛选人员要求
1,5,1筛选工作人员应是黄任心强,并经过考试合格的操作者,定期进行考核,考核不及格的,不
允许参加选工作
1.5,2在每次筛选或测式前,应有二人或ニ人以上的人对仪器设备及方法进行检查后才能进行
1.5,3筛选及测试过中发生异常现象及失效数较多时,应及时停止进行筛选及测试并报告有关
航天工业部1983る~12~-01发布
1984-10-01实歳
QJ787-83
部门,严禁不言失效数多少,进行筛选或测试。
1,6筛选记录
1,6.1'拌导体器件厂和整机单立从器件投入筛选开始就要做详细的记录,记录原始数捃,筛选条
件,环堍参数,使”设备的型号和編号,各项筛选的淘率和失效情况等等,筛选人员要鷔名并注明
筛选期。
1.6.2要求按个潝号的半导体器件,从筛选开给就要建卡,对筛选过程中的毎一步的情况做详细
记录。
1.6.3馆契写筛选卡片
1.7筛选条件
篩选条件包括筛选程序、筛选项与要求,各筛逃项目合格率要求和筛选后的测试等。
半导体器件的具体筛条件〔见4
肖末制订具体条件的半导体器件暂不按本要求执行
1,8筛选条件的修改
本筛选技术条件是我鄧对电子工业部半导体器件广提出嬃求之一,半导体器件生产厂可本各自
产品的具体情况制汀及完善有效的筛选条件,我部整机单位筛选时原则上按冰筛技术条件进行,但
随着半导体器件设计和工艺改变及认识的提,筛远条件要及时进行修改,筛选条件的修改由整机单
位可靠性部门提出,整机单位技术领批准,
2筛选前筛检及准各
2.1整机单位在筛选前,必须先检查产品合格证(已筛远过的器件要检查筛选报告)了解器件的
生产厂,生产年月和电气参数(这些资料由物资部门提供)否则不能进行筛选。如发现该器件的电气
参数和外型与设讦选用的不符时,必须与设计部引联系,设计部门同意后才能进行筛选
2.整机单位在筛远前应由线路设计提供并经过整机单位有关部门会签的测试优选文件(测试优
选包括该器件的测试项目,电参数,测试条件及该器件的外型,Hz值及日px配对等)测试优选文件
中规定的电参数,原则上要求不能超过出厂柝准,(包括各项电参数和选用的F值过大,范围太
窄,配对条件太严,以及ほRy测试条件与出厂测试条件相差太远等)如必须超出厂标,需经整机厂
设计所有关部!批准
如设讦单位没有供文件,第5规定的测试项目及该器件的出厂参数进行测试,其他不做任何
要求。
8选程序
3.1整流二极管;高温贮存一温度冲击一敲击一一功率老化一高温洲反向漏电流常温
测试一一检溻一外观检查
3.2开关二极管。高温贮存一一温度冲击一一敲击(芝麻管不做)一功率老化一高温反
偏(仅芝麻管做)一常温测试一检漏(芝麻管不做)一外观检查
33稳压二极管:高温贮存一温度冲击一詖击(2DW7做跌落)功率老化一常温测
试(2DW230-236要测温度系数)一检漏一外观检査
3.4检波二极管:高温贮存一温度冲击一蔵击功率老化一高温测反向漏电流
常温
测试一检漏一外观检查
3.5三极管筛选程序
高温贮存一一温度冲击一落(大功率管不做)一一
高温反偏(硅PNP管做)一一功率老
化一一高低温测试(必要时做)一一常温测试一检漏一一外观检查
3.6场妏应管,可控硅、双基极二极管,光电二极管和发光二极管等特殊器件的筛选条件待定。
筛选项目、条件与要求