SJT 11395-2009 半导体照明术语.pdf

CS31.260
50
备案号
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T11395--2009
半导体照明术语
Semi conductor I i ghting termino logy
料专用定
2009-11-17发布
2010-01-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T11395-2009
目次
前言
……
………に…
1范围
2规范性引用文件
3术语和定义.
3.1基本术语
……
3.2LED类型
3.3外延
END. INFORM
3.4芯片
3.5封装
3.6光度量
3.7色度量
3.8热、电测量.
………13
3.9LED应用产
+
1
中文索引
Aoma mg Tm
18
英文索引…-
附录A(资料性时录)本标准参加单位
…2
2010
AND
SJ/T113952009
刑?
本标准的附录A为资料性附录。
本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究所归ロ。
本标准由半导体照明技术标准工作组组织起草。
本标准起草单位:中国光学光电子行业协会光电器件分会、深圳市淼浩高新科技开发有限公司、厦
门华联电子有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究所。
本标准参加单位:见附录A
本标准主要起草人:胡爱华、吕毅军、刘秀娟、彭万华
I
SJ/T113952009
半导体照明术语
1范围
本标准规定了半导体照明基本名词与术语的定义。
本标准确定的术语适用于半导体照明相关的生产、科研和贸易等方面的应用。
2规范性引用文件
可使用这些文件的最新げく是不日期的引用文件,其最新在自介肉病准
0n1203-甲上水电力半导你器件
GBT20060电术00450が
GB/T29006801通工语、半导体器代和集成电路(I05061200IDT)
GB/T5838-1980炭免粉词术语
GB/T1396292此学仪器术题
BT14导成电路封术
GB/T14261989半导体料术语
GB/T1560
中国颜色续
GB/T15651?995半导体器
梦电子器作
0747-5:1992,
3术语和定义
3.1基本术语
の②0
TO STANDA Amme
两种载流子引起的总电导率通常
条件改变而变化。
[GB/T2900.662004,定义521-02-01]
3.1.2
半导体器件 semiconductor dev ice
其基本特性是由在半导体中的载流子流动所决定的器件。
注:该定义包括基本特性仅部分地由于載流子在半导体中流动产生的器件,从规范的角度考虑这些器件仍被认为是
半导体器件。
[GB/T2900.662004,定义521-04-01
3.1.3
半导体]二极管[ semiconductor] diode
具有非对称的电压电流特性的两引出端半导体器件。
注:除非另有说明,此术语通常表示具有典型单一PN结电压电流特性的器件。
SJ/T113952009
[GB/T2900.66-2004,定义521-04-03
3.1.4
发光二极管 ight-emitting diode
LED
当被电流激发时通过传导电子和空穴的再复合产生自发辐射而发出非相干光的一种半导体二极管。
3.1.5
半导体照明 semiconductor lightin
采用发光二极管作为光源的照明方式。
3.1.6
团态照明 sol id state I ight ing
采用固体发光材料(如发光二极管LED、场致发光EL、有机发光OLED等)为光源的照明方式。
3.1.7
衬底 substrate
用于外延沉积、扩散、高子注入等后序工艺操作的基体单帰晶片
[GB/T14264-1993,定义3.7]
外延片 epitaxial wafer
用外延方法制备的具有电致发光功能的结构片。
3.1.9
发光二极管芯片 light- emitting diode chi
具有PN结结构、有独立正负电极、加电后可辐射发光的分立半导体晶片
3.1.10
LED模块 LED module
由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、控制电路封装在一起,带有连接接口并具有发光功能且
不可拆卸的整体单元。
3.1.1
LED组件 LED discreteness
由LED或LED模块和电子元器件组合在一起,具有一定功能并可维修或拆卸的组合单元。
3.1.12
内量子效率 internal quantum efficiency
有源区产生的光子数与所注入有源区的电子一空穴对数之比。
3.1.13
出光效率 light extraction efficiency
逸出LED结构的光子数与有源区产生的光子数之比。
3.1.14
注入效率 injection efficiency
注入LED的电子空穴对数与注入有源区的电子一空穴对数之比
3.1.15
外量子效率 external quantum efficiency
逸出LED结构的光子数与注入LED的电子一空穴对数之比,等于内量子效率与出光效率和注入效率的
乘积。
3.2LED类型