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类型高温箱式电阻炉温度控制系统.pdf

  • 上传人:bluesky1126
  • 文档编号:35484508
  • 上传时间:2019-05-22
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    关 键  词:
    高温 箱式 电阻炉 温度 控制系统
    资源描述:
    昆钢科技
    2010年第6期
    Kungang Keji
    2011年1月
    高温箱式电阻炉温度控制系统
    李建华
    (技术中心)
    摘要通过对现有的9000E系统控制软件及其外围电路的重新设计,低成本的实现了对新增高温箱式电阻
    炉的自动控制,提高了设备的实用性及低温段的功率因素。
    关键词硅钼棒900CE控制器串级控制功率因素
    Control System of Box Resistance Reactor
    Li Jian-hua
    ('technical Center
    Abstract By redesigning software and cireuit of 9 000E control system, automatic control of box resistance
    reactor was achieved, low cost, the device practicality and the power factor under low temperature were
    lmprove
    Key Words Mosiz heating element: 9 000E coutrol system; cascade control; power factor
    从硅棒的特性可以看出,硅钼棒炉特点是:
    1前言
    1)低温时电阻小,同时工作电流只有高温下的
    60%,功率只有最大功率的1/50,因此低温段升温
    为了满足生产检验对热处理的要求,技术中心慢、耗时长;2)要提高升温速度,同时又不降低硅
    于2008年初购买了一台RX3-40-16型高温箱式电阻钼棒的使用寿命,工作电流必须控制在表1规定的最
    炉(以下简称硅钼棒炉),该炉以硅钼棒为电热材大值内
    料,工作温度0~1600℃。由于硅钥棒电阻温度系数
    较大,其室温电阻与1600℃时相差近15倍,电流范2存在问题及解决方案
    用为70~130A,输入电压最高与最低相差20多倍,
    在升温过程中电流不能超过表1的范围。
    RX-40-16型硅钼棒炉配有RJX-15控温仪组成的
    控温装置,其特点是价格低,仪表内装有晶闸管触
    表1RX3-40-16型高温电阻妒硅钼棒在不同温度下的电流
    of Mosi, Heating Element of RX3-40-
    发电路可以直接触发品闸管,配晶闸管即可构成调
    16 Box Resistance Reactor of Difterent Temperature
    压电路(电路图见图1)。
    温度/C0~300300~400400~900>90
    电流/A
    ≤70
    ≤80
    ≤130
    2010年第6期
    李建华:高温箱式电阻炉温度控制系统
    A
    B
    10250A
    B分度0-1750°C
    ①⊙
    L11
    L13
    电源指示
    ②a⑩9
    RS0200A/500V LHI
    6L2-200/5A
    K3
    -o(①のa(⑩
    Gl
    G3
    B
    KP300A/1000V
    O
    N
    G4
    旋转式警示灯
    K2 K4
    Oaの
    6-1
    炉门开
    电脑电源
    变压器
    岓电保护
    B1
    7-1
    输出0-140V180A
    接热电偶XWGT-101
    红蓝B0~1600℃
    高总低的中?相P
    L13
    1017-18-1
    N
    图1RX-40-16型高温电阻炉控温装置电路图
    Figure 1 Circuit Diagram of RX3-40-16 Box Resistance Reactor
    这种控温裝置的电路虽简单,但存在三个问(1.33ms),通过晶闸管的峰值电流为1040A,超过

    KP300A晶闸管全导通时的额定峰值电流(840A)。
    1)RJX-15控温仪表控制的是晶闸管的导通角,
    为了解决硅钼棒炉控温装置存在的问题,决定
    即输出电压,不能直接控制电流,因此,在升温用技术中心热处理现有的箱式电阻炉控温系统一9
    时,为了使电流在允许的范围内,低温段要求手动00控制器来实现上述要求。9000C是美国霍尼韦尔
    控制,到900℃左右オ能切换为自动控制,这一过程公司开发的一种开放型、精度高、功能全的小型控
    约需20小时,要操作人员24小时值守,每隔几分钟制系统,能控制32回路。技术中心热处理现有的箱
    要于动调节仪表输出,实用性较差,操作人员劳动式电阻炉控温系统是以9000E控制器为核心构成的集
    强度大。
    中控制系统,按同时控制8台电阻炉设计,于1993年
    2)功率因素低;交流调压电路功率因素投入使用至今,1994年通过验收。
    osψ=VV;(V为变压器输出电压,V=140V),开
    对于第一个问题,采用温度一电流串级控制方
    始升温时,电压V。=6V,I=70A,cos=0.043。
    案解决,温度一电流串级控制是用两个PLD控制回路
    3)晶阐管导通角小,峰值电流大:V。=6V,根实现温度,电流的准确控制,它不仅满足了硅钼棒
    据Vo=V+(1-cosB)/2得cos日=1-2Vo/V,=24°炉的工作电流控制在规定的范围,还降低了电网的波
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