JJG 48-2004 硅单晶电阻率标准样片检定规程.pdf

中华人民共和国国家计量检定规程
JG48-2004
硅单晶电阻率标准样片
Standard Slice of Single Crystal Silicon Resistivity
2004-09-21发布
2005-03-21实施
JJG48-2004
硅单晶电阻率标准样片
检定规程
JJG48-2004
代替JG48-190
Verification Regulation of Standard
Slice of Single Crystal Silicon Resistivity
本规程经国家质量监督检验检疫总局于2004年09月21日批准并自
2005年03月21日施行。
归口单位:全国无线电计量技术委员会
主要起草单位:中国计量科学研究院
参加起草单位:广州半导体材料研究所
本规程委托全国无线电计量技术委员会负责解释
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JG48--2004
本规程主要起草人:
鲁效明(中国计量科学研究院
参加起草人
谢鸿波(广州半导体材料研究所)
JG48--2004
目录
1范围
2概述
3计量性能要求…
(1
3.1标准样片的电阻率的测量范围
(1)
3.2标准样片的标称值…
3.3标准样片应具备的参数及性能要求…
4通用技术要求
5计量器具控制…
(3)
5.1检定条件
5.2检定项目及检定方法
………………(5
5.3检定结果的处理
(7)
5.4检定周期…………………………(8)
附录A硅单晶电阻率标准样片温度修正系数表……………(9)
附录B硅单晶电阻率标准样片的清洗方法………(10)
附录C砫单晶电阻率标准样片检定原始记录…
甲4单●单申中
附录D硅单晶电阻率标准样片检定证书及检定结果通知书内页格式……(12)
附录E硅单晶电阻率标准样片检定结果的计算与处理
b中口?4?口?中●●
(13)
附录F计算硅单晶电阻率标准样片的各种修正系数表
(15)
附录G不同直径的硅单晶电阻率标准样片距边缘6mm处的修正系数表(F)…(16)
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JJG48--2004
硅单晶电阻率标准祥片检定规程
1范围
本规程适用于硅单晶电阻率标准样片的首次检定、后续检定和使用中的检验。
概述
硅单晶电阻率标准样片(以下简称标准样片)是用高纯多晶硅,经过单晶制备,再
经中子嬗变掺杂等多种工艺制造的,具有一定几何尺寸的实物标准。由不确定度已知的
标准装置,对该实物标准的电阻率及其它指标给予标定,使用时以标准样片为准,对相
关参数进行量值传递。
3计量性能要求
3.1标准样片的电阻率的测量范围
电阻率的测量范围0.00592·cm~50002cema
3.2标准样片的标称值
标准样片的标称值应符合下述19个规格中的一个,见表1
表1标准样片的标称值
h em
电阻率标称值
0.0050.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0
10
75
180
250
00
10002000
5000
3.3标准样片应具备的参数及性能要求
3.3.1标准样片,除具有电阻率标称值和实际值外,还应有下列参数或数据:导电类
型、掺杂元素、直径值、厚度值和使用要求。
3.3.2对不同级别的标准样片,各项指标的要求见表2。
表2标准样片的各项指标
合格指标
样片级别
国家级标准样片
级标准样片
级标准样片
项目
直径
(40~75)1%m(40~75)±1%m(25~100)2%mm
厚度
W≤1.0r
W≤1.0
W≤1.0m
标称值偏差0.01·cm~5002·cn
土5%
土1Q%
±15%
中心点电阻率重复性(2o)
0.3%
0,4%
0.8%
径向电阻率不均匀度
≤3%
≤4%
≤8%