GBT 12964-2003 硅单晶抛光片.pdf

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GB/T12964-2003
前言
本标准修改采用半导体设备和材料国际组织标准 SEMI M1-0997《硅单晶抛光片规范》中的有关
内容,对GB/T12964-1996进行修订而成的。主要在原标准的内容上増加了直径200mm直拉硅单
晶抛光片的内容
本标准由中国有色金属工业协会提出
本标准由中国有色金属工业标准计量质量研究所负责归口。
本标准由北京有色金属研究总院、洛阳单晶硅有限责任公司负责起草。
本标准主要起草人:翟富义、孙燕、董慧燕、卢立延、曹孜、孙文海
本标准所代替标准的历次版本发布情况为
GB/T12964-1991、GB/T12964--1996
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GB/T12964~-2003
硅单晶抛光片
1范
本标准规定了硅单晶抛光片(简称硅抛光片)的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、
检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄后进行单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于制作
集成电路等半导体器件或做为硅外延沉积的衬底。
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有
的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准
GB/T1550--1997非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1552-1995硅、储单晶电阻率测定直排四探针法
GB/T1554-1995硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T1555-1997半导体单晶晶向测定方法
GB/T1558-1983测定硅晶体中代位碳含量的红外吸收方法
GB/T2828-1987逐批检査计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检査)
GB/T40581995硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T616-1995半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法
GB/T6618~1995硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T6619-1995硅片弯曲度测试方法
GB/T6620-1995硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T6621-1995硅抛光片表面平整度测试方法
GB/T6624-1995硅抛光片表面质量目检测试方法
GB/T11073-1989硅片径向电阻率变化的测试方法
GB/T12962-1996硅单晶
GB/T13387-1992电子材料晶片参考面长度测试方法
GB/T1388-1992硅片参考面结晶学取向X射线测量方法
GB/T14140.1-1993硅片直径测量方法光学投影法
GB/T14140.2-1993硅片直径测量方法千分尺法
GB/T14143-1993300~900pm间隙氧含量红外吸收测量方法
GB/T14264-1993半导体材料术语
GB/T14844-1993半导体材料牌号表示方法
YS/T26-1992硅片边缘轮廓检验方法
3术语
主参考面直径 primary flat diameter
从参考面的中心沿着垂直参考面的直径,通过硅片达对面的边缘周边处的直线长度。见图1a)。
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GB/T12964--2003
中心
米滑州
主参考面
a)主参考面直径
销子中心
8
晶片边缘
最小曲率半径0.9
週过晶片的基准轴
所有尺寸以mm表示
注:本图以虚线表示的销子,用来对准夹具中有切口晶片;在测量切口尺寸和尺寸公差时,该销子还用作有切口晶
片的基准。本图中所示的切口尺寸,假定该对准销子直径为3mm。
b)切口尺寸
图1主参考面直径和切口尺寸
硅片切口 notch on a silicon wafer
在硅片上加工的具有规定形状和尺寸的凹槽。详见图1b)(9200mm抛光片),切口由平行规定的
低指数晶向并通过切口中心的直径来确定。该直径又称取向基准轴
合格质量区(FQA) fixed quality are
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GB/T12964--2003
标称边缘除去Ⅹ后,所限定的硅抛光片表面的中心区域,该区域内各参数的值均应符合规定值。
局部区域site
硅抛光片前表面上的一种矩形区域。矩形的边平行和垂直主参考面或切口的等分角线。矩形的中
心应在FQA内。
局部平整度 site fatness
在FQA内,局部区域的TIR或FPD中的最大值。
4产品分类
4.1分类
硅抛光片按导电类型分为N型,P型两种类型,按硅单晶生长方法分为直拉(CZ)和悬浮区熔
(FZ)。
4.2牌号
硅抛光片的牌号表示:按GB/T14844规定
4.3规格
硅抛光片按直径分为50.8mm、76.2mm、100mm、125mm、150mm和200mm六种规格。
5技术要求
5.1物理性能参数
硅抛光片的导电类型、掺杂剂、电阻率及其径向变化、少数载流子寿命、氧含量、碳含量、晶体缺陷应
符合GB/T12962的规定。
5.2几何参数
硅抛光片的几何参数应符合表1的规定。
表1硅抛光片几何尺寸参数要求
硅片直径/hmm
50.8
76.2
100
125
150
200
直径允许偏差/mm
0.4
士0.5
土0.5
士0.3
士0.3
士0.2
硅片厚度,中心点/m
280
381
525
625
725
厚度允许偏差/gm
士20
?20
土20
土15
士15
厚度变化m不大于8
10
10
10
10
翘曲度/m不大于
40
40
50
总平整度(TIR)/m不大于
b
注1
主参考面长度/mm
16.0±2.0225士2.5「32.5土2.5「42.5士2.5157.5士2.5
注2
副参考面长度/mm
8.0±2.011.5士1.5118.0士2.027.5士2.5137.5士2.5
无
切口
深度/mm
1.00+.25
(见图1b)
角度/()
90
主参考面直径/mm
50土0.20
注:1200mn硅抛光片的平整度由供需双方协商确定
200mm硅抛光片的基准标记分为有切口的和有参考面的两种,有参考面的用主参考面直径来表征
5.3晶体完整性
5.3.1硅抛光片的晶体完整性应符合GB/T12962的规定。
5.3.2氧化诱生缺陷:
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