GBT 4938-1985 半导体分立器件接收和可靠性.pdf

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中华人民共和国国家标准
JDC21.882,2
3.004.12
:2-192
半导体分立器件接收和可靠性
GB4938-85
IEC147-4-1975
Acceptance and reliability for discrete
semiconductor devices
本标准等同采用国际标准IEC147-4(1976第四部分:接收和可靠性》。
本标准列出了适用于半导体分立器件的电耐久性试验方法,可以从中选择使用》。
1总则
半导体分立器件试验所引用的可靠性资料
1.1.1IEC319《电子元件(或部件)的可靠性数据介绍》
1,1.2IEC319A,即对IEC319号标准的第一次补充。
2电耐久性试验
2.1目的
对各种类型或分类型半导体器件的时久性试验,以及判定失效特性和失效判据进行了标准化。这
使不同制造厂所提供的有关接收试验和可靠性试验的数据,易于进行统一的比较。
2.2一般要求
2.2.1电耐久性试验条件
2.2.1.1工作型式
器件应在稳态(按适用情况可为直流、交流或动态)条件下在规定电路组态中工作。在某些情况
下,可把间断的或其他工作的型式作为补充试验。
2.2.1.2安装条件
,环境额定的器件
单端或双端器件的外壳与电接点或支承点之间的引线长度最好不少于5mm。引线长度小于5mm
的器件,应按制造厂的建议进行安装。支承点所处的温度应不低于环境温度。
b.管壳额定的器件
器件应安装得能保持规定的管壳温度
2.2.1.3工作温度
工作温度应规定在携点和t之间的一点(见图)。如图中所示,温度对应于20%这一点。
该工作温度一部分由器件耗散来达到,一部分由坏境温度来达到。
环境额定的器件,其工作温度的偏差应保持在±5℃之内。管売额定的器件,其所有管壳的平均
温度与规定工作点的偏差应保持在±5℃之内,而任何个别器件管売温度与规定工作点的偏差应保持
在±10℃之内。
国家标准局1985-02-06发布
1985-11-01实施
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GB4938--85
l或P
10%
20%
「点
降额曲线
2.2.1.4工作电压
除有关规范中另有规定外,工作电压应采用表Ⅱ中的推荐值。工作期间的初始偏差和任何变化
如为直流电压,应在士5%以内,交流或脉冲电压,则在土10%之内
如果要求在不同表Ⅱ所列的条件下进行补充试验,则应采用2.2.1.7款中给出的组合条件进行。
2,2.1,5耗散功率和电流
除高温反偏试验外,被试器件应按降额曲线(见图)的耗散功率成电流来工作。工作期间的初
始误差和任何变化,如为直流功率或电流,应在士5%之内,如为交流或脉冲功率或电流,则在±10%
之内
如果要求在不同于表Ⅱ所列的条件下进行补充试验,则应采用2.2.1.7款中给出的组合条件进行。
2.2.1.6试验电路
见表Ⅲ。
2.2.1.7补充试验
如果需要指出失效率随工作条件下的变化,则推荐用下面所给出的电压和耗散功率或电流的组合
条件。
工作电压,%
耗散功率或电流,%
注:①100%值指的是表Ⅱ中推荐的那些值。
②上表中列出的某些应力组合不能安全地加到某些类型或型号的器件上,即任何规定的试验余件应在被试
器件的安全二作区内(避免热奔和(或)二次击穿)选择。
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GB4938-85
2,2.2试验的持续时间
2,2.2.1试验的持续时间应从下列时间中选择
中36
168
1000-30
336
2000h
5000h
+20
672-30
0000h
如果进行中间试,也应在上表中列出的时间间隔上进行
2.2.2.2如果持续时间是用循环次数来确定,则应采用1、2或5X10“的序列,其中n是包括
在内的整数。
2.2.3判定失效的特性和测试
2,2,8.1特性
应选择对特定的器件类别是最重要的那些特性。各类器件的推荐特性见表I。
2.2.8.2测试条件
全部特性应在器件完成试验后的6h内按表工进行测试。应在环境或基准点温度为25±5℃时进
行测试。对属性试验,通过测量可得到通过或不通过的数据(把测得的值与失效判据进行比较,从而
判定每个盤件是否通过)。对变量试验,器件应单独识别,并且应测量每个器件的每个规定特性。
2.2.4失效判据
失效极限值最好是表工中的规定值。判定失效时,如有必要,可参考25℃时的测试值
2.2.4.1定义
个器件经试验后不符合表I中为这类器件所规定的一个或几个特性极限值,则认为该器件失效。
在提供数据时,除了总失效数外,还应给出短路和开路的器件数。
短路器件是一种不再能完成其要求功能并呈现准电阻性的低阻抗特性的器件。
注:判定短路失效的特定极限值应在数据表中给出。
2.2.5预防措施
2.2.5.1试验时去掉偏置的处理
在与规定的试验时间相等的总时间内(在允许的偏差内)应对器件施加偏压和(或)偏流。对给
定的器件类型和试验条件,如果当器件去掉偏置冷却时,其特性出現明显的变化,则最好应继续对器
件施加偏压,直至它们冷却到室温为止。
2.2.5.2烘箱或其他热源的过热
试验时,如果热源温度失控,就可能破坏或损伤器件,因此热源应装备重复的过热控制来限制最
高温度。
2.2.5,3静电放电和电磁场
有关的设备和人员应采取预防措施,使器件避免由于高静电压和强电磁场而遺受损伤或破坏。
2.2.,4振荡抑制和电流限制
试险时由于电路中的振荡而可能使器件道受损伤或破坏。采用宽带示波器就可以检测到振满。在
试验电路中增加并联电容器和(或)串联电感和电阻器就可以抑制振荡。
试验过程中因出现热弈也可能使器件道受损坏或破坏。采用接人固定电も阻器(它可在发生热奔时
限制器件的耗散)的办法可以避免这样的损坏。应当对每个器件而不是对各组器件接上这样的电阻器,
这样如果一个器件热奔时,就不会使这一组的所有器件上的偏置都消失或减少。当这些电阻器安放在
接近器件终端时,它也常常起到振荡抑制器的作用。
当为了某个目的而在电路中接人电阻器时,器件端子上的偏置应为器件在规定的试验条件下达到
热平衡时的规定偏置。
2,3特殊求
2.3,1器件类别
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