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综述
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锗系相变材料的晶体结构
李明',宓一鸣,言智,季鑫2
1.上海工程技术大学材料工程学院,上海201620;2.上海工程技术大学基础教学学院,上海201620)
摘要:介绍了锗系相变材料的应用。用原位变温XRD对锗系相变材料相变过程中的晶体结构变化进行
实时检测发现,在不同温度会出现不同的晶向。论述了锗系相变材料的相变过程即非品态到面心
立方晶态的变化,面心立方晶态到六方晶态的变化,以及掺杂元素对锗系相变材料结构的影响。
关键词:锗;相变材料;原位变温XRD;晶体结构
中图分类号;:TN304.9
文献标识码:A
文章编号:1008-1690(2012)06-0018-04
Crystalline Structure of Germanium Series Transformation Materials
LI Ming, MI Yi-ming,YAN Zhi, JI Xin'
1. College of Material Engineering, Shanghai University of Engineering Science, Shanghai 201620, China;
2. College of Fundamental Studies, Shanghai University of Engineering Science, Shanghai 201620, China)
Abstract The applications of germanium series transformation material were introduced. Real-time detection of
crystalline structure change of the germanium series transfformation material was performanced by an in-situ
variable-temperature XRD. The results reveal that different crystal orientations will appear at different
temperatures. The following substances were described including transformation process of the germanium series
transformation material i. e. change of amorphous crystalline to face-centered cubic crystalline, change of face
centered cubic crystalline to hexagonal crystalline and the effect of doping elements on crystalline structure of the
germanium series trasformation material
Key words germanium; trans ormation material; in-situ variable-temperature XRD; crystalline structure
随着计算机技术的迅速发展,对存储技术的要究状况看,能满足存储技术的要求。
求越来越高。自从文献[1]报道硫系相变材料可用
于相变数据存储之后,相变存技术很快被开发始1分析材料结构的方法
来,并于20世纪80年代得到了迅速发展。相变材1.1X射线衍射(XRD)
料的优劣自接影响相变存储器件的研究,研究和开发
XRD是利用X射线在晶体中的衍射现象来分
性能优良的相变材料是发展相变存储技术的核心。
析材料的晶体结构、晶格参数、晶体缺陷(位错等)、
硫系化合物是重要的相变存储材料,特别是V-不同结构相的含量及内应力的方法,是建立在一定
VI族二元和G-V-MVI族三元化合物。相变材料的晶体结构模型的基础上的间接方法,即根据与晶体
种类繁多,目前关键的相变材料以锗系为主。主要样品产生行射后的X射线信号的特征去分析计算
原因在于,锗系相变材料的研究已有30多年的历出样品的晶体结构和晶格参数,精度很高。在进行
史,其基本性能己被业界所掌握,并且这种相变材料晶体结构分析时,重要的是要把握两类信息:第一类
早在1996年之前己被成功应用于可擦重写相变光是衍射方向,即行射角0,在一定的情况下取决于晶
盘中,之后又在容量更大的第二代、第三代可擦重写面间距d。衍射方向反映了晶胞的大小及形状因
相变光盘中得到广泛应用,制备工艺已非常成熟。素,可利用布拉格方程来描述。但造成结晶物质种
此外,这种材料还具有良好的电学性能,从目前的研类差异的原因不仅是由于晶格常数不同,重要的是
收稿日期:2012-03-29
作者简介:李明(1983-),男,湖南衡阳人,硕士研究生,主要从事薄膜材料的制备、表征及机制研究。
联系电话:021-6779143818801621778,E-mail:limingmaileyou@163.com
基金项目:上海工程技术大学研究生科研创新项目,项目编号:2011yjs15
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《热处理》2012年第27卷第6期