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类型GBT 22586-2018 电子学特性测量 超导体在微波频率下的表面电阻.pdf

  • 上传人:wqzqywx
  • 文档编号:57956393
  • 上传时间:2018-12-25
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    关 键  词:
    GBT 22586-2018 电子学特性测量 超导体在微波频率下的表面电阻 22586 2018 电子学 特性 测量 超导体 微波 频率 表面电阻
    资源描述:
    ICS77.040.99
    中人民共和国国家标祖准
    GB/T22586-2018
    代替GB/T225862008
    电子学特性测量
    超导体在微波频率下的表面电阻
    Electronic characteristic measurements-surface resistance of
    superconductors at microwave frequencies
    (EC 61788-7: 2006, Superconductivity-part 7: Electronic characteristic
    measurements Surtace resistance of superconductors at microwav
    frequencies, MOD)
    2018-03-15发布
    2018-10-01实施
    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
    中国国家标准化管理委员会发布
    B/T225862018
    目次
    前言
    引言
    范围……………
    规范性引用文件
    术语和定义
    4要求
    装置
    5.1测试系统…
    5.2Rs測试腔体…………
    5.3介质柱
    测试步骤
    6.1样品准备………
    6.2系统构建
    6.3参考电平的测试
    6.4谐振器频响特性的测试…………
    6.5超导薄膜的表面电阻Rs、标准蓝宝石柱的ε'和1an的确定
    测试方法的精密度和精确度
    7.1表面电阻……………………
    7.2温度………………………8
    7.3样品和支撑结构
    4样品的保护
    8测试报告……………
    …………………………?9
    被测样品的标识
    8.2R。值报告…………
    8.3测试条件报告
    事事事?口?
    事事和事事?事事和事哪
    附录A(资料性附录)与第1章一第8章相关的附加资料………………………10
    附录B(规范性附录)改进型镜像介质谐振器法
    附录C(资料性附录)与附录B相关的附加资料…………………………………25
    参考文献
    图1使用制冷机测试Rs随温度变化特性的装置图…
    图2典型的Rs测试腔体示意图
    图3T(K)温度下的插入损耗IA.谐振频率∫。和半功率点带宽△f
    图4反射系数(S1:和S2)…
    图5表4中术语的定义……………………………………………8
    GB/T22586-2018
    图A.1各种测量微波表面电阻R、方法结构示意图?……………………………10
    图A.,2两端由两片沉积在介质基片上的超导薄膜短路圆柱形介质谐振器的几何结构……12
    图A3TE』模式的4ーッ和Wーレ关系的计算结果…13
    A.4测量Rs、tan6的标准介质柱的电磁场结构………
    图A.5三种形式的谐振器的结构示意图…
    图A.6设计平行超导薄膜两端短路的TE1谐振器的模式图20
    111
    图A.7设计平行超导薄膜两端短路的TEに谐振器的模式图20
    图A.8合式TEn谐振器的模式图…
    1111
    图A.9闭合式TEa1谐振器的模式图…
    图B.1测试系统示意图…
    图B.2典型的改进型镜像介质谐振器法谐振装置安装示意图……
    图B.3测试探头加载被测样品示意图………………
    ………………………20
    图B.4耦合结构示意图………
    图B.5金腔结构示意图
    图B.6校准探头与测试探头装配良好时的牛顿环示意图……………………………2
    图C.1测试探头加载校准探头示意图…
    中平平平平中雪甲平平平中中增重曹
    图C,2测试探头加载金属板示意图………………………………………27
    图C.3测试探头加载超导样品示意图
    表112GHz、18GHz、22GHz时标准蓝宝石介质柱的典型尺寸…………………
    表212GHz、18GHz、22GHIz时超导薄膜的尺寸………
    表3失量网络分析仪的参数……………
    表4蓝宝石介质柱参数
    表B.1耦合孔尺寸……………………………2
    表B.2蓝宝石介质柱的尺寸和加工要求……………………………………21
    表B.3屏蔽腔各部分尺寸……………………22
    ww.
    GB/T22586-2018
    前言
    本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。
    本标准代替GB/T22586-2008《高温超导薄膜微波表面电阻测试》。与GB/T22586-2008相比,
    主要技术变化如下
    增加了附录B(规范性附录),给出了“"改进型镜像介质谐振器法”应用“校准技术”测量单片高
    温超导薄膜徴波表面电阻(Rs)的方案。本方案采用的是TE+模式改进型镜像蓝宝石介质
    皆振器法,通过校准,单片超导薄膜的Rs值可以通过一次测量得到。本方案在满足测量变异
    系数低于20%的前提下?能大幅度提高测试效率,适合大批量工业化的测试
    増加了附录C(资料性附录)给出了与附录B相关的一些附加资料,如“改进型镜像介质谐振
    器法”的理论推导等。
    本标准使用重新起草法修改采用IEC61788-7:2006《超导电性第7部分:电子学特性测量超导
    体在微波频率下的表面电阻》.与IEC61788-7:2006相比,主要技术性差异如下:
    増加了规范性附录B及资料性附录C。附录B是另一种供选择的方案。
    本标准还做了下列编辑性修改
    本标准的名称中去掉了“超导电性第7部分:”字样,以便与现有的标准系列一致。
    本标准由中国科学院提出。
    本标准由全国超导标准化技术委员会(S.AC/TC265)归口。
    本标准起草单位:电子科技大学、清华大学、南京大学、中国科学院物理研究所
    本标准主要起草人:曾成、罗正禅、补世荣、魏斌、吉争鸣、孙亮。
    本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
    GB/T22586-2008。
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