DB52T 860-2013 5KP 系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范.pdf
- 配套讲稿：
如PPT文件的首页显示word图标，表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制：
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片，仅作为作品整体效果示例展示，禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词：
- DB52T 860-2013 5KP 系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范 860 2013 KP 系列 瞬态 电压 抑制 二极管 详细 规范
- 资源描述：
-
ICS31.080.10
L41
1DB52
贵州省地方标准
DB52/T8602013
5KP系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范
Detai I specification for si I icon trans ient voltage supprossor diode of
er ies 5KP
2013-12-06发布
2014-02-01实施
贵州省质量技术监督局发布
DB52/T860-2013
目次
1范围
2规范性引用文件..
3符号和型号命名.
4技术要求
质量一致性检验.
6标志
订货资料
包装、贮存和运输
9使用注意事项
附录A(规范性附录)最大箝位电压 Vcmax的测试方法
ww. by [XW.con
DB52/T8602013
前言
本标准按GB/T1.1-2009《标准化工作导则第1部分:标准的结构和编写》给出的规则起草
请注意:本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公可提出。
本标准由贵州质量技术监督局归口。
本标准起草単位:贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公
本标准主要起草人:邹盛琳、江涛、唐文斌、曹珩、孟動、章俊华、宾洪宾、李钢、杨朝辉、易晶
本标准附录A是规范性附录。
本标准首次发布。
展开阅读全文
文档分享网所有资源均是用户自行上传分享，仅供网友学习交流，未经上传用户书面授权，请勿作他用。
链接地址：https://www.wdfxw.net/doc55230905.htm