GBT 11713-2015 高纯锗γ能谱分析通用方法.pdf

ICS13,280
C57
中华人民共和国国家标准
GB/T11713-~-2015
代替GB11713-1989
高纯锗γ能谱分析通用方法
General analytical methods of high-purity germanium gamma spectrometer
2015-06-02发布
2016-01-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
层查仍
中国国家标准化管理委员会发布
GB/T11713-2015
目次
前言……
Ⅲ
1范围
2术语和定义……
3谱仪配置及主要部件基本要求…
4刻度源和系统刻度…
样品测量
6计算
报告
附录A(资料性附录)能量刻度用的单能和多能核素………
中中中
附录B(规范性附录)7能谱仪刻度源的制备…
10
附录C(规范性附录)γ能谱测量的探测下限…
GB/T11713-2015
前言
本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草
木标准代替GB11713-1989《用半导体γ谱仪分析低比活度Y放射性样品的标准方法》。本标准
与GB117131989相比,主要技术変化如下:
一标准的名称改为《高纯锗Y能谱分析通用方法》
标准的性质由强制性改为推荐性;
修改了测量所用探测器为HPGe探测器,并修改了能量分辨力和探测效率等相关的参数
要求;
增加了本征探测效率、相对探测效率和探测下限三个术语;
修改了能谱仪对高压、谱放大器、多道脉冲幅度分析器的相关要求
增加了“刻度源的溯源性”;
增加了能量刻度曲线的计算方法;
增加了附录C“y能谱仪刻度源的制备”。
本标准由中华人民共和国国家卫生和计划生育委员会提出并归口。
本标准起草单位:中国疾病预防控制中心辐射防护与核安全医学所、海南省疾病预防控制中心、吉
林大学公共卫生学院。
本标准主要起草人:徐翠华、赵力、周强、拓飞、王川健、昌焱、张庆、任天山、张京、李文红、张建峰。
本标准于1989年9月首次发布。
GB/T11713-2015
高纯锗γ能谱分析通用方法
范围
本标准规定了使用高纯绪(HPGe)Y能谱仪分析样品中γ放射性核素的通用方法
本标准适用于在实验室测量分析γ射线能量大于40keV且特征谱线能够分辨开的放射性核素
2术语和定义
下列术语和定义适用于本文件
本征探测效率 intrinsic detection efficiency
用以表示探测器本身性能的参数。它等于记录的脉冲数与入射到探測器灵敏体积内的Y光子数的
比值
2.2
相对探测效率 relative detection efficienc
在源至探头前表面距离为25cm时,HPGe探测器和标准的圆柱形Nal(T1)闪烁晶体(×h:
7.62cm×7.62cm)探测器测量∞Co源1332.5keVY射线的全吸收峰面积之比
2.3
核素全吸收峰探测效率 total absorption detection efficiency for nuclide
对于给定的测量条件以及该核素所发射的能量为E,的特征γ辐射,探测到的全吸收峰内的净计
数与同一时间间隔内辐射源中该核素的衰变总数的比值
2.4
γ射线全吸收峰探測效率 total absorption detection efficiency for gamma-ray
对于给定的测量条件和Y射线能量,探测到的全吸收峰内的净计数与同一时间间隔内辐射源发射
的该能量的Y射线总数的比值。
2.5
本底 background
无被测辐射源(样品)时,其他因素,如宇宙射线、放射性污染、电磁干扰等在所研究的谱的能量区间
造成的计数
2.6
全能峰半高全宽度 full width at half maximun;FWHM
仅由单峰构成的分布曲线上,峰值(最大值)一半处的全宽度(两点横坐标之间的距离),即半宽度。
2.7
能量分辨力 energy resolution
探测器分辨能量不同却又非常相近的入射7射线的能力。能量分辨力与人射7射线能量有关,对
于指定能量的单能γ射线,常用该能量的全吸收峰的半高全宽度来表示
2.8
康普顿散射干扰 disturbance from Compton scattering
辐射源发射多个能量的Y射线,其中较高能量γ射线的康普顿散射计数对较低能量γ射线的全吸
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GB/T11713-2015
收峰分析产生的干扰。这种干扰大多数表现为较低能量Y射线的(全)能峰下的连续谱的基底计数的
增加。
2.9
本底干扰 background disturbance
本底对于待測物理量(如全吸收峰)的干扰
密度差异干扰 disturbance from density difference
待测样品与刻度源间的密度差异(如超过10%)对于待测物理量的干扰
探测下限 lower limit of detection:LLD
在给定的置信度下,谱仪可探测的最低活度
3谱仪配置及主要部件基本要
3.1γ能谱仪
3.1.1典型高纯储γ能谱仪构成图
本标准规定的高纯储γ谱仪的典型构成如图1所
高压电源
低压电源
屏蔽
半导体
射线
森测器
前置放大器
多道脉冲幅度
主放大器
分析器(MCA
数处理系统
(计算机)
图1典型高纯锗γ能谱仪的构成图
3.1.2半导体γ射线探测器
宜采用探测效率高(灵敏体积较大、能量分辨力好的高纯半导体探测器,可以是N型或P型。
探测器的相对探测效率一般应大于20%,对Co1332.5keVy射线的能量分辨力应优于2.5keV,探
测器的能量响应上限应不低于2MeV。HPGc探测器要在低温状态下工作(85K~100K),工作温度
要稳定,可采用液氮制冷或电制冷。探测器与配套的低噪声电荷灵敏前置放大器一体化组装。
3.1.3屏蔽室
3.1.3.1探测器应置于厚度至少10cm铅当量的铅或钢铁作屏蔽物质的外辐射屏敲室中,屏蔽室内壁
距探测器灵敏体积表面的距离至少13cm。当铅制屏蔽室内壁与探测器的距离小于25cm时,在屏蔽
室的内表面应有原子序数逐渐递减的多层内屏敝。内壁从外向里依次衬有厚度不小于1.6mm的镉或
锡、不小于0.4mm的铜以及厚度为2mm~3mm的有机玻璃。此外,屏蔽室应设置放、取样品的门或
窗,以便放取样品。
3.1.3.2探测器在屏蔽室内,在40keV~2000keV能区内应没有天然放射性核素以外的污染。