JBT 7061-1993 电力半导体器件用硅圆片.pdf

K46
中华人民共和国机械行业标准
JB/"TP7061-1993
电力半导体器件用硅圆片
1993-10-08发布
1994-01-01实施
中华人民共和国机械工业部发布
中华人民共和国机械行业标准
JB/T7061-1993
电力半导体器件用硅圆片
主题内容与透用范围
本採准规定了电力半导体器件用産单晶切割片和研磨片(简称硅片)的产品分类、技术要求、试验
方法、检验规则和标志、包装、运输与贮存。
本标准适用于直拉单晶、悬浮区熔单晶、中子嬗变掺杂单晶经切割、双而研磨制备的圆形硅片
2引用标准
GB1550硅单晶导电类型测量方法
GB1555硅单晶晶向光图测量方法
GB2828逐批检查计数抽样程序及抽样表
GB6615硅片电阻率的直排四探针测试方法
GB6618硅片厚度和总厚度变化的测试方法
GB6619硅片弯曲度的接触式测试方法
GB11073硅片径向电阻率变化的测试方法
GB12962硅单晶
3硅片分类
导电类型及硅片类别
硅片按导电类型分为N型和P型,按硅单晶类别分为直拉、悬浮区熔和中子嬗变捲杂三类硅片
3.2牌号
硅单晶切割片和研磨片的牌号为
?-Ms口-9
电阻率范围(Qcm)
硅片直径尺寸(mn
CS表示切割片
IS表示研磨片
硅单晶导电类型
硅片类别
硅片类别中CZ表示直拉法,FZ表示晨浮区熔法,NTD表示中子嬗变掺杂法
例如:FZ-MsiN-LS51~60-60~80表示悬浮区熔N型硅单晶研磨片,直径为51~-60
电
阻率为60~80.cm
技术要求
机械工业部193-10-08批准
1994-01-01实施
JB/T7061-1993
4.1硅片的导电类型、电阻率、少子寿命、位错、晶向偏离度等物理参数应符合GB12962的规定
4.2非等径硅片的技术参数应符合表1的规定,硅片厚度按用户要求。
表1
mm
产品名
技术参数
直径范围
40~50
>50~60
>60-80
>80~100
厚度偏差
士0.015
士0.020
士0.020
士0.025
士0.025
总厚度变化
0.015
≤0.020
切割片
≤0.025
≤0.030
≤0.035
穹曲度
≤0.015
≤0.020
≤0.020
≤0.025
≤0.030
崩边
≤1.0
厚度偏差
土0.010
士0.010
±0.010
之0.010
士0.010
总厚度变化
≤0.005
≤0.007
研齊片
0.007
≤0.010
≤0.010
弯曲度
≤0.010
≤0.012
≤0.015
≤.018
0.020
崩边
4.3等径硅片的技术参数应符合表2规定,硅片厚度根据用户要求。
表
直径范
产品名剩技术参数
40
>40~50.81>50.8~63-5>63.5~76.2>76.2~90
>90~~100
直径偏差
土0.3
土0.4
0.5
士0.5
士0.5
度偏差
士0.015
士0.020
士0.020
士0.025
±0.025
士0.030
切割片总厚度变化
≤0.015
≤0.020
≤0.025
≤に0.030
≤0,035
≤0.040
弯曲度
≤0.015
≤0.02
s0.020
≤0.025
≤0.030
≤0.030
边
≤0.4
0.5
≤0.5
0.8
直径偏差
士土0.3
士0,4
士0
土0.5
士0.5
厚度偏差
士0.010
士0.010
±0.010
0.010
士0.010
研片人感度变化
b.005
≤0.007
0.007
0,010
≤0,010
≤0、010
曲度
≤0.010
0.012
0.015
≤0.018
≤0,020
≤0.020
未倒角
0,4
≤0.5
0.8
≤0.8
倒角
≤0.3
4.4套圆片的直径偏差:0~-0.20mm
4.S硅片的晶向偏离度;≤3°
4.6表面质量
4.6.硅片崩边径向延伸符合表1、表2的规定,周边长不大于2mm,每片硅片崩边总数不超过二个。
套圆片的崩边只允许单面存在,深度不超过片厚的0.5倍,数量不得超过三个
4..3套圆片沿径向延伸的崩边长度不得大于0.3mm。
4.64非等径硅片沿径向延伸的缺口长度不得大于1mm,每片硅片的缺口不得超过二个
4.6.5切割片允许其表面有呈正常弧状条纹的刀痕,刀痕深度不得大于0.01mm
4.6,6研磨片应看不出刘道
4.6.7硅片不允许有裂缝。
研磨片表面应无沾污和异常色彩斑点