GBT 14264-1993 半导体材料术语.pdf

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H80
中华人民共和国国家标准
GB/T14264-93
半导体材料术语
Semiconductor materials
terms and definitions
1993-03-12发布
1993-12-01实施
国氛技-督局发布
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中华人民共和国国家标准
半导体材料术语
GB/T14264-93
Semiconductor materials
Terms and definition
1主内容与用范?
本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义
本标准适用于元素和化合物半导体材料。
2一放不语
2.1半导体 semiconductor
电阻率介于导体与绝缘体之间,其范围为10-3~109?cm的一种固体物质。在较宽的温度范围
内,电阻率随温度的升高而减小。电流是由带正电的空穴和带负电的电子的定向传输实现的。半
导体按其结树可分为三类:单晶体、多晶体和非晶体
2.2元素半导体 elemental semiconductor
由一种元素组成的半导体。硅和错是最常用的元素半导体。
2.3化合物半导体 compound semiconductor
由两种或两种以上的元素化合而成的半导体,如冲化皞、惊铝神等。
2.4本征半导体 intrinsic semiconductor
晶格完整且不含杂质的单晶半导体,其中参与导电的电子和空穴数目相等。这是一种实际上难以
实现的理想情况。实用上所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质,导电性能与理想愉况很相近的
半导体。
2.5导电类型 conductivity type
半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性
2.6n-型半导体n- type semiconductor
多数戴流子为电子的半导体。
2.7p-型半导体p- type semiconductor
多数載流子为空穴的半导体。
2.8空穴bole
半导体价带结构中一种流动空位,其作用就像一个具有正有效质量的正电子电荷一样。
2.9受主 accepter
半导体中其能级位于禁带内,能“接受”价带激发电子的杂质原子或晶格快陷,形成空穴导电。
2.10施主 donor
半导体中其能级位于禁带内,能向导带“施放”电子的杂质原子或晶格缺陷,形成电子导电。
2.11载流子 carrier
固体中一种能传输电荷的载体,又称荷电載流子。例如,半导体中导电空穴和导电电子。
国家技术监督局1993-03-12批准
1993-12-01实施
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GB/T14264-9
2.12载流子浓度 carrier concentration
单位体积的载流子数目。在室温无补偿存在的情况下为电离杂质的浓度。空穴浓度的符号为か,
电子浓度的符号为n。
2.13多数载流子 ma jority carrier
大于载流子总浓度一半的那类载流子。例如,p型半导体中的空穴。
2.14少数载流子 minority carrier
小于载流子总浓度一半的那类载流子。例如,p型半导体中的电子。
2.15杂质浓度 Impurity concentration
单位体积内杂质原子的数目
2.16深能级杂质deep- level impurity
种化学元素,当其引入半导体中,形成一个或多个能级。该能级距导带底、价带顶较远,且多位
于禁带中央区域,介于n型和p型掺杂剂杂质能级之间。
2.17复合中心 recombination center
半导体中对电子和空穴起复合作用的杂质或缺陷
2.18补偿 compensation
半导体内同时存在施主杂质和受主杂质,施主杂质施放的电子为受主杂质接收,其作用相互抵
消
2.19耗尽层 depletion layer
荷电載流子电荷密度不足以中和施主和受主的净固定电荷密度的区域。又称势垒区、阻挡层或空
间电荷层。
2.20红外吸收光谱 infrared absorption spectrum
当半导体受到红外光的辐射时,产生振动能级的跃迁。在振动时伴有偶极矩改变的原子,吸收红
外光子所形成的光谱。
2.21红外吸收系数 infrared absorption coefficient(IR)
被长为λ的红外光通过半导体试样,试样透过率倒数的自然对数与试样光程之比。单位为cm
2.22电阻率(体) resistivity(bulk)
单位体积的材料对与两平行面垂直通过的电流的阻力。一般来说,体电阻率为材料中平行于电流
的电场强度与电流密度之比。符号为p,单位为Qcm
2.23电导率 conductivity
电阻率的倒数,它等于载流子浓度、电子电荷和载流子迁移率的乘积。符号为a,单位为(Q?
cm)
2.24电阻率允许偏差 allowable resistivity tolerance
晶片中心或晶锭断面中心的电阻率与标称电阻率的最大允许差值,它可以用标称值的百分数来
表示。
2.25径向电阻率变化 radial resistivity variation
晶片中心点与偏离晶片中心的某一点或若千对称分布的设定点(典型设定点是晶片半径的1/2
处或靠近晶片边缘处)的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为中心值的百分数。又
称径向电阻率梯度。
2.26薄层电阻 sheet resistance
种薄层导电材料的电学性质,其值等于薄层电阻率除以薄层厚度。又称方块电阻。符号为R,
单位为/□。
2.27扩展电阻 spreading resistance
导电金属探针与半导体触点间的测量电阻,它由探针附近的半导体电阻率决定
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