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类型三氧化二铝改善液晶阻抗的研究.pdf

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    关 键  词:
    氧化 改善 液晶 阻抗 研究
    资源描述:
    维普资讯hup:/www.cqvip.com
    第13卷第5期
    精细写专用化学品
    Vol 13. No
    2005年3月6日
    Fine and Specialty Chemicals
    三氧化二铝改善液晶阻抗的研究
    王玉丰黄红生
    (南通华涧新材籵有限公司,江苏南通226009)
    摘要:用A203改善液晶的阻抗,使其符合LCD的要求。探讨了A2O、用量、搅拌时间、反应温度等因素对
    结果的影响。初步分析了Al203的作用机理。
    关键词:液晶;A203;阻抗;LCD
    Study on Impedance Immprovement of Liquid Crystal by AL,0
    WANG Yu-feng, HUANG Hong-sheng
    Nantong Huarun New Materials Co, Ltd, Nantong 226009, China
    Abstract In this paper, Al, 0, was used to improve impedance of liquid crystal to meet the requirements of LCD. The
    factors inflaencing the product yield were investigated such as the ratio of AL, O, to liquid crystal, the stirring time of react
    ants, reaction temperature and so on. At the same time, the mechanism of improving the impedance of liquid crystal by
    Al, 0, was also analyzed
    Key Words: liquid crystal A2,; impedance; LCD
    液晶显示器( Liquid Crystal Display,LCD)对液(苏州);于燥器、过滤装置、温度计及其他玻璃仪
    晶材料的技术指标要求很高,其中一项重要的指标器。
    是要求液晶具有高阻抗。高阻抗液晶可得到高1.3实验方法
    电压保持率、低电流消耗,同时,高阻抗液晶的耐光
    取适量液晶,盛放于烧杯中,按比例加入已于燥
    性、耐热性及耐老化性能优越。但液晶在贮存和使的Al202粉末,加热或在室温条件下搅拌,过滤,收
    用过程中,易受环境污染,使阻抗值降低,不符合集滤液。用高阻计分别测定同一批未经纯化和经过
    LCD生产要求。为改善这种情况,本文拟采用纯化后液晶的阻抗值。
    Al203作为纯化剂,来提高液晶(阻抗已降低)的阻

    2结果与讨论
    2.1A2-03用量对提高阻抗的影响
    1实验部分
    固定搅拌时间和反应温度,改变Al2O3用量
    1.1试剂
    Al203用量对提高阻抗的影响如图1所示。
    不同型号复配液晶(阻抗在使用过程中降低,
    小于要求值);活性氧化铝(分析纯)。
    随着A2-03用量的增加,纯化后液晶的阻抗变
    2仪器
    化显著。氧化铝比例加大,其表面积增大,与异物接
    TG328A型分析天平(上海);EST120型数位超触的几率增加,有利于反应的进行。A20,用量≤
    高阻、微电流测量仪(上海);H-3恒温磁力搅拌器1%,阻抗值提高较少;Al203用量1.5%~2%,液品
    收稿日期:2004-10-25
    作者简介:王玉丰(1977-),男,硬士,主要从事精细化学品研发工作。
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    22
    精细与专用化学品
    第13卷第5期
    的阻抗已大于要求值;大于2%后阻抗增加较缓。
    反应温度的影响可分为两个阶段,小于60℃
    时,温度对提高阻抗成正比关系,但不如氧化铝用量
    和搅拌时间的因素影响大;大于60℃时,特别是当
    温度大于澄清点温度时,阻抗反而下降。
    150
    2.4机理分析
    100
    欲得到高阻抗的液晶材料,应尽量减少液晶中
    离子和杂质的含量。在液晶的贮存、使用过程中,难
    免和空气等介质接触,使水分及其他杂质进入其中,
    AlO3质量百分比/%
    生成H和OH-等离子,产生阻抗降低现象。
    Al203又称氧化铝,大体可分为两大类:活性氧
    图1三氧化二铝用量对提高阻抗的影响
    化铝(低温型)和c-氧化铝。其中活性氧化铝(主要
    2.2搅拌时间对提高阻抗的影响
    包括y-或n-氧化铝)的比表面积、孔隙率、耐热性能
    分别取不同搅拌时间点的液晶进行测试,结果均很高,成型性也好。其孔道表面具有很高的活性
    如图2所示。
    因此活性氧化铝是优良的吸附剂、干燥剂、催化剂及
    催化剂载体。活性氧化铝的选择吸附不仅由其孔径
    来决定,还与被吸附物质的极性强弱有关。活性氧
    化铝对水、氟化物、碱等具有较强的亲和力,是一种
    深度干燥用的干燥剂,也是吸附极性分子的吸附

    活性氧化铝作为干燥剂和吸附剂与液晶材料中
    150
    时间/h
    的杂质相作用,吸附其中的水分和其他杂质过滤后
    随其排出体系,使液晶纯化,减少液晶材料中的杂质
    图2搅拌时间对提高阻抗的影响
    含量,提高液晶材料的阻抗。
    随着反应时间的延长,阻抗的提高越来越大,因
    结论
    此适当延长搅拌时间是可行的,但在实际生产中,应
    选一最佳值来提高生产效率。
    (1)AL2O3作为液晶的纯化剂,用来提高液晶的
    2.3反应温度对提高阻抗的影响
    阻抗值是可行的。
    液晶是处于固液之间的一种物质,其存在状态
    (2)液晶材料阻抗的提高程度与Al203的用
    仅限于某一温度范围,当高于该温度时,液晶转化为量、反应温度及时间成正比关系,且各种因素的影响
    透明液体,此点称为澄清点或清亮点。选择不同温程度不同,其主次关系为:A2O3用量>搅拌时间>
    度进行试验,结果如图3所示。
    反应温度。
    3)最佳条件为:Al203用量1.5%-2%,搅拌
    时间1~2h,室温或稍高温度。
    xG
    3.5
    (4)加热温度超过澄清点后液晶阻抗下降的原
    因需进一步分析。□
    参考文献
    80
    温度/C
    〔1〕施善定,黄嘉华、液晶与显示应用[(M).上海:华东化工学院出版
    社,1993
    〔2〕安家驹,王伯英,实用精细化工词典〔M〕-北京;轻工业出版社,
    图3反应温度对提高阻抗的影响
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