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类型SJT 11089-1996 半导体分立器件文字符号.pdf

  • 上传人:shuling
  • 文档编号:33937835
  • 上传时间:2017-06-17
  • 格式:PDF
  • 页数:40
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    关 键  词:
    SJT 11089-1996 半导体分立器件文字符号 11089 1996 半导体 分立 器件 文字 符号
    资源描述:
    UD(621.:382.0)03.
    中华人民共和国国家标准
    GB11499--89
    降为SJ/T11089-96
    半导体分立器件文字符号
    Letter symbols for discrete semiconductor devices
    989-03-31发布
    1990-04-01实施
    国案技术监懂局发布
    ww,b2fxw.com免赏下


    主题内容与适用范题………………
    总则
    整流二极管……………………“……………
    4信号二极管(包括开关二极管)和调整二极管
    1?????p??
    (10)
    射频二极管
    (13)
    6光电子器件……………
    D?PD自P中中号自P·电申ロP甲Pロ唱●
    (19)
    流管?…………………………………………………………………?(23
    双极型晶体管·?
    w…o……い(27
    9场效应晶体管………………………
    …………………(32)
    10其它半导体器件……
    (36)
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    中华人民共和国国家标准
    半导体分立器件文字符号
    GB11499-89
    eter symbols for discrete semiconductor devices
    本标准参照采用了下列国际标准:
    LEC148(1979)半导体器件和微型集成电路文字符号
    IEC 747
    半导体器件分立器件和集成电路
    IEC747-1(1983)第1部分总则
    IEC747-2(1983)第2部分整流二极管
    IEC747-3(1983)第3部分信号二极管(包括开关二极管)和调整二极管
    IEC747-5(1984)第5部分光电子器件
    IEC747-6(1983)第6部分闸流晶体管
    IEC747-8(1984)第8部分场效应晶体管
    TEC747-11(1985)第11部分半导体分立器件分规范
    的有关文字符号的内容,并补充了国内所的有关文字符号。
    主内密与适用范
    本标准规定了半导体分立器件主要的文字符号。本标准适用于编写半导体分立器件有关标准和有
    关技术资料。
    2总则
    电流、电压和电功率的文字符号
    2.1.1基本字母
    推荐的碁本字母有
    1.一电流
    电压
    P,p一电功率
    注:IEC27号标准只把字母和z推荐为电压的备用符号,而在半导体器件领域中,P和被广泛使用,因此在本标准
    中和0与U和な是等效的。
    2.1.1.2大写宇母的使用
    大写基本字母用来表示:
    。最大(峰)值
    b.平均值
    直流值
    d.方均根值
    2.1,1.3小写字母的使用
    小写基本字母用来表示随时间变化的瞬态值。
    中华人民共和国机械电子工业部1989-03-18批准
    1990-04-01实施
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    GB11499~89
    2.1.2下标
    2.1.2.1推荐的常用下标
    AV,av一平均
    F,f一E向
    M,m一最大(峰)值
    MIIN minー最小值
    0,0一开路
    R,rー反向,作第二个下标时表示重复
    S,s一短路,作第二个下标时表示浪涌或不重复
    (BR)一击穿
    (OV)一过载
    tot总的
    2.1.2.2大写和小写下标的选择
    在2.1,2.1条中同时列出了大写和小写字母的地方,采用大写字母还是小写字母,应符合2.1.2.
    和2.1.2.2.2条的要求。如果采用的下标多于一个,则应全用大写字母或全用小写字母
    2.1.2.2.1大写字母的使用
    大写字母用来表示
    无信号时的直流值
    例如:l
    b.总的瞬态值
    例如:a
    总的平均值
    例如:BAv
    d.总的最大(峰)值
    例如:awr
    2.1.2.2.2小写下标的使用
    小写下标仅用来表示变化的分量值。即:
    交变分量的瞬态值
    例:
    b.交变分的方均根值
    ?如:l
    c.交变分量的最大(峰)值
    例如:
    d.交变分量的平均值
    例如:!t
    1.2.3关于下标的补充规定
    2.1.2.3.1电流的下标
    如果需要指明电流流过的引出端,则用第一个下标来表示,
    例如:B,,,6
    2.1.2.3.2电压的下标
    如果需要指明被测电压的两个端点,则可用前两个下标表示。第一个下标表示器件的一个端点、第
    二个下标表示参考点或电路的节点。
    例如:U3E,E,u,Ua
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    1B11493~89
    若不会发生混滑,则第二个下标可以省略
    2.1.2.3.3电源电压和电源电流的下标
    电源电压和电源电流可用重复相应引出端的下标来表示
    例如:Ue或Vs,l
    注:如果需要指明参考引出端,则要使用第三个下标。
    例如:Uan或VcE
    2.1.2.3.4具有多个同种引出端的器件的下标
    如果器件的同种引出端多于一个,则下标用相应引出端的文字符号并在其后面跟着一个数字来表
    示;在多个下标的情况下,需加上连字符号,以免误解。
    例如:l一流经第二基极引出端的直流电流
    Uw第二基极引出端与发射极引出端之间的直流电压
    2.1.2.3.5复合器件的下标
    对于复合单元器件的下标,改用一个效字再加上ー个下标字母来表示,在有多个下标的情况下,需
    加上连字符号,以免误解
    例如:I一流经第二单元集电极引出端的直流电流
    第一单元和第二单元集电极引出端之间的直流电压
    2.1.3基本符号表
    下表是对2.1.1和2.1.2条各项规则的应用说明
    基本符号表
    本字母
    大写
    无特殊记号或下标者
    交变分景的方均根值

    交变分量的瞬态值
    有特殊记号或下标者

    交变分量的最大(峰)值

    交变分量的平均值

    无特殊记号或下标者:

    无倌号时的直流值

    总的瞬态值
    有特殊记号或下标者:

    总的最大(峰)值
    总平均值
    2.1.4规则应用示例
    图1表示的是由直流和交变分量组成的晶体管集电极电流
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