英飞凌推出第五代1200VthinQ!TM碳化硅肖特基二极管.pdf

朱涛,等基于 Kinect深度技术的障碍物在线快速捡测算法
于视觉的检测算法。
[4] Thu W Y, Thar HH, Afaulpurkar, et al. Ultrasonic System
4结束语
approach to Obstacle Detection and Edge Detection [J]
sensors Transducers, 2011, 127(4): 124-135
在未知环境中的障碍物检测是移动机器人自主避障与导[S] Sahba K, Alameh K E, Smith C I. Obstacle detection and
航的关键环节。本文对微软的 Kinect体感设备进行了研究,提
spectral discrimination using multi-wavelength motionless
出了一种基于 Kinect深度技术的障碍物在线快速检测算法。
wide angle laser scanning[J]. Optics express, 2008, 16(8
本文在以往文献的基础上所做的进一步研究和改进如下
22-31.
1)本文没有采用传统的传感器,用 Kinect成功地实现了[6] Garcia JJ, Urena_J, Mazo M,etal. Sensory system for
障碍物检测,实现了一项应用创新。
obstacle detection on high-speed lines[J]. Transportation
2)提出基于 Kinect I深度技术的障碍物在线快速检测算
Research Part C: Emerging Technologies, 2010, 18(4) 536-553
法。针对目前基于视觉的障碍物检测算法计算量大、实时性[η刘海波,董玉杰,皇甫彩虹,等,基于多传感器信息融合的
差等不足,本文采用 Kinect深度技术进行障碍物检测,成功
移动机器人障碍物检涮算法研究[C] Proeeedings of the
地实现在线快速检测,并验证了算法的实时性、准确性和鲁
31st Chinese Control Hefei. China 2012: 25-27
棒性。
[8]王文格,武凯宾,朱江,等.未知环境下机器人障碍物检测
3)根据连通体分析的结果,自动调节背景消除法中的阈
技术J.中国图象图形学报,2012,17(2):209-214.
值,提高了障碍物检测精度。
WANG Wen-ge, WU Kai-bin, ZHU Jiang, et al. Obstacle
参考文献
detection for robot in unknown environment[J]. Journal of
[1] Santana P, Magno Guedes, Lufs Correia, et al. Stereo-based
Image and Graphics, 2012, 17(2): 209-214
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理论与方法[M!北京:科学出版社,2009.
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混合圆形体检算法卟自动化学报,200834(4):408-413
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Acta Automatica Sinica, 2008, 34(4): 408-413
英飞凌推出第五代1200 V thing!M碳化硅肖特基二极管
英飞凌科技股份公司推出第五代1200 V thinl)碳化硅肖特基二极管,进一步扩展了碳化硅产品阵容。新的1200V碳化
硅二极管在工作温度范图内提供超低正向电压,其液涌电流承受能力提高了一倍以上,并且具备痺越的散热性能。得益于这些特
性,该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、三相SMPS(开关电源)和电机驱动等应用中大大提高效率,并且可靠运行。
“第五代”碳化硅二极管采用了新的紧凑式芯片设计,将PN结设计融合到肖特基二极管单元场中。这种设计降低了芯片
区的機分电胆。因此,二极管损耗比之上一代产品降低了多达30%,學如在20kHz频率上以满负荷工作的三相太阳能逆变器
的前端升压级中。
结温为150C时,典型正向电压仅为1.7V,这比上一代产品降低了30%。这个值也是当前市场上的1200V碳化硅二极
管中最低的正向电压值。因此,这款新的碳化硅二极管特别适用于以相对较高负荷工作的应用,如不间断电源系统。此外,即使
エ作在校低开关频率下,也能提高系统效率。
取决于二极管电流等级,它可实现最高14倍于标称电流的浪涌电流承受能力,这保证了二极管在应用发生浪涌电流时实
现可靠运行。这样便无需使用旁路二极管,从而降低了复杂度,减少了系统成本
英飞凌ICBT和碳化硅分立功率器件营销总监 Roland Stele表示:“英飞凌致力于提供有助于客户最大展度提高其设计效率的产
品,新的第五代碳化硅二极管实现了这一目标。由于降低了二极管损耗,该产品适用于范圆更广的开关频率,同时,它具备更强的浪涌
电流承受能力,可实现更高可靠性。最新一代英飞凌碳化硅肖特基二权管是朝着充分挖据残化硅材料潜力运出的一大步。”
在升压拓扑和功率因素校正(PC)升压拓扑中结合新的1200 V thin!碳化硅肖特基二板管和英飞凌出类拔萃的1200V
Highspeed3IGBT能够全面捉升系统性能。相比于来用传统硅二极管的解决方案,通过降低导通顿耗(这允许使用更小尺寸的散热片
或提高效率)和降低EMI(更小巧的更高性价比的EMI滤波器),不仅降低了二极管损耗,而且政善了 Highspeed3IGBT的性能。
咨询编号:2014121010