GBT 3859.4 半导体变流器 包括直流变流器的半导体自换相变流器.pdf

ICS29.200
K46
中华人民共和国国家标准
GB/T3859.4~-2004/IEC60146-2:1999
代替GB/T7677-1987,GB/T7678-1987
半导体变流器包括直接直流变流器的
半导体自换相变流器
Semiconductor converter-self-commutated semiconductor converters including
direct d, c. converters
(IEC60146-2:1999,IDT)
2004-05-14发布
2005-02-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布
中
国家标准化管理委员会
中华人民共和国
国家标海
半导体变流器包括直接直流变流鐛的
半导体自换相变流器
GB/T3859.4-2004/IEC60146-2:1999
中国标准出版社出版发行
北京兴门外三里河北街16号
政编码:100045
网址
电话:6852394668517518
中国标准出版社秦皇岛印刷厂卬
各地新华书店经销
开本88×12301/16印张2字数56千字
2004年9月第·版2004年9月第…次印刷
书号:155056·1-21322定价16.00元
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GB/T3859.4-2004/IEC60146-2:1999
目次
前言
范龃
2规范性引用文件
?4?·由白?自自d电自自由自电自由
3定义……………1
变流器的功能
3.2变流器的型式
3.3变流器电路组件
变流器和电子器件的主要性能
3.5骚扰和电磁兼容性……
3.6有关输入和输出的持性……
8
3.7额定值的定义…
3.8关于冷却的定义
3.9关于温度的定义…
3.10关于试验的定义
4增加的脚标和字母符号……
2
使用条件
5.1冷却方法的识别代码
5.2环境条件……
5.3电气使用条件
?·?·?
5.4负载特性
4
5.5抗扰性要求?…………………………………………
14
6额定值和附加特性……
6.1概述……
6.2由供货者规定的额定值………………………………………………17
6.3附加特性…
18
6.4标志…
18
7试验…
7.1概述
d自自st
d●dp?●事p自d中自●由自自直电
7、2变流设备和变流装置试验项目一览表……
19
7.3试验说明
19
7、4允差……
附录A(资料性附录)大功率变流器试验的例子
A.1概述
中电喜a●●eP●bd自b自 laa a」
A.2基本原理……
A.3试验程序
3
额定输出试验
23
A.3.2过电流试验……
A.3.3温升试验
GB/T3859.4-2004/IEC60146-2:1999
A.3.4功率损耗测定
图1预期的最大过电压与瞬态过程的关系曲线
16
图2电压不对称因数计算图
图A.1大型交流器的例子
南DDD●
图A.2变流装置的试验电路
图A.3GTO门极脉冲时序图
表1交流恒压联结的抗扰水平
表2直流电压允差…………………“…“…
表3相对峰谷纹波因数………………
6
表4试验项目
表5损耗和效率的允差
GB/T3859.4~-2004/IEC60146-2:1999
前言
《半导体变流器》是一个系列标准,由以下部分组成
GB/T3859.1:半导体变流器基本要求的规定( eqv IEC60146-1-1:1991)
GB/T3859.2:半?体变流器应用导则( eqv IEC60146-1-2:1991)
GB/T3859.3:半导体变流器变压器和电抗器( eqv LEC60146-1-3:1991)
GB/T3859.4:半导体变流器包括直接直流变流器的半导体自换相变流器(ITEC60146-2:1999
IDT]
GB/T17950:半导体变流器使用嫆断器保护半爭体变流器防止过电流的应用导则(IEC60146-
6-1992,IDT)
本部分是系列标准的第4部分,等同采用IEC60146-2:1999。除标准名称不含原文中“第2部分”
字样(受我国标准编号规定的限制)和更正编辑印刷性错误外,内容均与IEC60146-2:199相同
本部分代替GB/T7677-1987《半导体直接直流变流器》和GB/T7678-1987半导体自换相变流
器》两个标准,内容的主要変化为
a)两个标准合并为一个标准。GB/T7677-1987和GBVT7678-1987分别等效采用IEC60146-2
1974(第1版)和IEC60146-3:1977(第1版),而这两个IEC标准已为本部分所采用的
IEC60146-2:199(第2版)所代替;
b)产品标志方式有较大改变;
c)试验程序和试验电路不同
d)增加了诸波和电磁兼容性及其试验要求
本部分附录A是资料性附录。
本部分由中国电器工业协会提出
本部分由全国电力电子学标准化技术委员会归口
本部分起草单位:西安电力电子技术研究所、广州金来电子技术工程有限公司。
本部分主要起苹人:周观允、李敏
本部分于1987年首次发布,版本为:GB/T7677-1987(主要起草人:张石安、时轮),GB/T7678-
1987主要起草人:周观允、周胜宗)。本次是第1次修订。