SJT 11396-2009 氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片.pdf

ICS29.045
H83
备案号
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T113962009
氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
The sapphire substrates for nitride based Iight-emitting diode
2009-11-17发布
资料专用章
2010-01-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T113962009
前言
本标准的附录A和附录B为規范性附录,附录C、附录D、附录E和附录F为资料性附录。
本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究所归口。
本标准由半导休照明技术标准工作组组织起草。
本标准起草单位:深圳市森浩高新科技开发有限公词、业和信息化部电子工业标准化研究所。
本标准主要起人,李明R
Q2Q
2010
ANDAR
SJ/T113962009
氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
1范
本标准规定了外延氮化镓的高纯蓝宝石单晶抛光衬底片的技术要求、测试方法、检验规则、标志
包装运输和贮存等内容
本标准适用于制各半导体发光二极管的外延領化的高纯蓝宝石单晶抛光村底片(以下简称“衬底
片”)。
2规范性引用文件
AND NPORL
下列文件中的条款うか的引用而成为本标准的条款?凡是どし分司)文件,其随后的修改
单(不包括勘误的内)代线版均不活用千本标准。然而,鼓局根据本シ球议的各方研究是否
可使用这些文件的最/凡不的文件,其最新応通用」本准
GBT1081-s相参及其
CB154-9体化学择忧验方法
GB/T1555
体单晶晶
GB/T2828.
计数
部分:按接收成限(AL)
批检验抽样计
划
GB/T68度和总厚变化测试方
GB/T619均和度测试
GB/T6620佳画度非接触式测试方法
GB/T621表面平整度测试方法
GB/T6624
表面质量目测验方法
GB/T14264-199、半体枝料术语
201
SJ20744-1999半导体材料杂両含量
光分析通用
ASXCANDAR
4要求
1化学组成为高纯的a-A102,总杂质含量应小于1×10°
4.2结晶完整性要求在所有直径范围内都是单晶,位错应小于10个每平方厘米,双晶摇摆曲线的半
峰值宽( FWHM)应小于1。
4.3制备衬底片所使用的蓝宝石单晶的生长方法按合同双方的规定。
4.4表面取向和参考面取向应符合表1的规定。
SJ/T113962009
薐1表面取向和参考面取向
C面
表面取向
R面
A面
M面
(0001)±0.1°
(1102)士0.1
(1120)士0.1
(1010)±0.1°
A面
C轴在(1120)面上的
C面
(1120)±0.5°
投影逆时针旋转
(0001)士0.5°
C面
参考面取向
或M面
45土0.5
或R面
(0001)土0.5°
(1010)士0.5°
(见附录A
(1102)士0.5
4.5参考面尺寸应符合表2。
表2参考面尺す
单位为毫米
村底直径
50.8
6
100
参考面长度
15~17
21~23
31,5~33.5
4.6外形尺寸及偏差应符合表3要求。
表3外形尺寸及偏差
单位为毫米
直径
50.80土0.1
76,20±0.25
100.00±1.00
0.330+0.025
0.330士0.025
中心点厚度
或0.430土0.025
0.525±0.025
或0.430土0.025
弯曲度
≤0.01
≤0.01
≤0.04
曲度
≤0.0
≤0,01
≤0.04
总厚度变化
≤0.01
≤0.01
∠0.05
4.7表面平整度规格应符合表4要求
表4面平整度等级
等级
平整度,m(最大值)
14
10
V
8
4.8:表面粗糙度在所有直径范固内应小于0.3nm
4.9表面缺陷的最大允许值应符合表5。
SJ/T113962009
表5二表面缺陷的最大允许值
项目
最大允许值
检验方法
划伤
无
本规范5.9,光照度:≥6001x
弦长(大)小于1mm以上,无
本规范5.9,50倍显徵镜
崩边
弦长为0.38mm~1mm的3个
弦长为0.38m以下的不计
凹坑
无
本规范5.9,光照度:≥6001
桔皮
无
本规范5.9,200倍显微镜
裂纹、裂痕
本规范5.9,光照度:≥6001x
雾
?DRHR
本规范5.9,光照度;≥6001x
边缘凸起
规范5.9.50倍显微镜
沾
纹
9,光照度:=6001x
4.10背面粗権度在所有么花内均为0.4um-1.0m。
4.11背面不允许有利活污,崩边的限度同表面,背面划伤长度不能天台)A晶片直径。
4.12晶体完整性的律参风附乘3
4.13:常选用的测量位置参见限C
4.14表面质量赤意图参见附录
4.15蓝宝石结晶图季见附
4.16特殊技术要求由供需双
5检验方法
总杂质含年S204进测し
5.2表面取向和参考面取向参照CB/T155进行测定
5.3几何尺す用Qo1m的量具量
5.4弯曲度按GB/66行测定。
5.5厚度和总厚度变化入68
5.6短曲度按CBT6进行测
10
5.7平整度按GB/T6621)进行测
5.8表面和背面粗糙度按GB10g
5.9表面和背面缺陷按GBT682行测定
INDAR
5.10』结晶完整性参照GB/T1554-1995进行测定
6检验规则
6.1验分类
本标准规定了交收检验的项目和检验要求。
6.2检验批
检验批由同一牌号、来自相同规格单晶锭的衬底片组成
6.3抽样方案
按GB/T2828.1~2003的规定,采用正常检验一次抽样方案,检验水平为Ⅱ,接收质量限AL≤1.5
6.4检验项目
交收检验的检验项目和要求按表6的规定。