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类型变形和扩散的光纤衰减器.pdf

  • 上传人:ariesfung01
  • 文档编号:99994727
  • 上传时间:2020-02-11
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    关 键  词:
    变形 扩散 光纤 衰减器
    资源描述:
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    4.结论
    小型的高性能保持型1X2和1×8标准单横光纤开关已经开发成功,并用于多
    道电祝分配FTH系統。此外还验证了低串音的1<2PAND光纤开关。据预料,
    这些开关的应用将迅速扩大。
    王志和自《1e0-95》,WA1
    变形和意的光纤意减缓
    王行
    2


    A
    开发和试验了制造熔融光纤衰减器的新方法。获得的衰几乎没
    有包层偏差(<0.1m),其衰减不环境温度政变,没有后向反射
    (<-72dB),相当高的接头强度,低成本和高生产率。
    引言
    光纤衰减器用于光倍号功率的减小,主婴应用于短距离电信链路或采用園定
    放大的信号中继器的长距离干线。在网络中,每当光信号功率高于检测器的动态
    光纤兼减器有三种主要的结构类型机機式减、激光二极管接满器和入/2
    范固(通常<25dB)时,为避免饨和,光信号必嬌惜助倌号功率的衰减而降低。
    融型衰减器。
    制造机械式衰减器的一种典型方法如图1所示。此结构有几种变异品种,例
    如,有锥体或无锥体;直角或非直角切割;在气隙中有或无一块吸收或半反射
    璃等等。机械式衰减器的优点是衰减值可用机械方法进行测。但是,如果衰减
    器作为系统中具有定羲减的线路插入元件,那末衰减会随不同泓度变化,生产
    成本和维护成本高,反射高(纳-10dB~-40B),它们特使系统扱不稳定,而且
    用昂贵。
    典型的熔减器(图2)可以过实时控制的移拼接来获得。此类亵器
    的生产成本很低,衰减德定性和可靠性很高,并几乎不存在来自衰减的反射。也
    不要维护。恒是,包层中的偏移并不能完全使某些系统制造商足。他们担心
    在长期运行中在接头点的应力集中,尤其担心不用保护套而只是新涂复接头
    时的应力集中。
    普资民.http:/www.cqvip.com
    な微
    Airmen Slew
    随所气任好
    图1典型的机械式衰减器结构
    因2包层(和纤芯)偏移X的
    典型熔衰减器
    在我们工作中,业已开发和试验了一种新型熔亵减器,并发现在许多方面
    优于移式熔融亵减器。
    2制造变形和扩放减器的方法
    割造熔融衰减器有几种不同方法。当包层移量设定并电弧熔は起动时,按
    图3验证测量损耗关系、包层偏移和熔融时间。不同方法在不同工作区停止熔。
    例如,在A区获得偏移衰减器;在B区获得谱通的变形减区;在C区获得变形和
    扩敢的减器。
    curre nly起
    Prefusion
    ihrie 2 Real tmo c
    。击流制直
    MEASURED ATTENUATI
    Region e
    Roglon C
    区C
    DING OFFSET
    图3熔融时间、偏移和衰减之间的关系。A区:偏移式衰减器
    B区:变形衰减器;C区:变形和扩故衰减器
    比较不同区域,我们可看到
    、损耗变化遠度(曲线的斜率)在ら区最低。因此在C区可以获得较好控制和
    稳定的衰减
    2、C区的诚低于其它区城。因此为了获得相同衰满,初始偏移应大于其它
    区城
    3,C区的包農偏移几乎为零。因此,在接头点不会出现包层不连续性引起的
    应力信中
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    4、在区中,很长的熔融时间使纤芯扩故到包层中。这种扩敗与纤芯变形的
    综合因素主导减。
    5、为了在じ区得到优良的養减重复性,熔度应精确控朝,这是因为扩放
    的录量是由熔温度确定的。
    采用实时电流控制技术可以制成变形和扩故式衰减器。表1列出制造变形和
    扩故衰诚器的两细典型熔参。所用熔接机是FSU925,这类减器具有下列特

    )包扆中凡乎看不出偏移〔不连续性),测得的偏移值<0.1?
    (2)对信号几乎没有反射(用P回波损耗计测得的反射低于-72dB)
    (3)妻不随坏境温度(り°~50C)而变化;
    (4)生产中衰减的偏差基小(<0.2dB标准偏差)
    (分生产成本低〔与制作一个普邋接头相同)
    (6保护套簡和丘新涂复优良。
    表1用FSU925自动熔接机造变形和扩敬亵减器的熔融参
    (DSF:色敬位移光纤)
    光纤类型 AT&IDSE+ AT&TDSF AT8TDSF+康宁DSF

    傛融时间1
    8, 3S
    预熔电流
    10.5mA
    10.5mA
    熔时间2
    0.5S
    0.5S
    熔独电流
    嫆磁时间3
    20.3S
    20.0S
    RTC熔融电流
    13.t
    王志和译自《100C~95》?WAI
    18
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