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类型SJ 20714-1998 砷化镓抛光片亚损伤的X射线双晶衍射试验方法.pdf

  • 上传人:usan09223573
  • 文档编号:95348319
  • 上传时间:2017-06-17
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    关 键  词:
    SJ 20714-1998 砷化镓抛光片亚损伤的X射线双晶衍射试验方法 20714 1998 砷化镓 抛光 损伤 射线 双晶 衍射 试验 方法
    资源描述:
    中华人民共和国电子行业军用标准
    ,5971
    ST20714~-1998
    砷化镓抛光片亚损伤层的
    射线双晶衍射试验方法
    Test method for ub -surface damege of allium arsenide polished
    wafer by X-ray double crystal diffraction
    1998-03-18发布
    1998-05-01实施
    中华人民共和国电子工业部批准
    中华人民共和国电子行业军用标准
    砷化镓抛光片亚损伤层的X射线
    SU20714-199
    双晶衍射试验方法
    Test method for sub-surface damege of gallium arsenide polish
    wafer by X-ray double crystal difiraction
    1范囝
    1.1主题内容
    本标准规定了砷化抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法。
    1.2适用范围
    本标准适用于经过化学、机械单面和双面抛光的砷化镓晶片亚损伤层的定性测量
    2引用文件
    CB19%06-4砷化镓单晶材料觌范。
    3定义
    本章无条文。
    4一般要求
    4.1测量大气条件
    a.环境温度:23土5℃;
    b.相对湿度:≤70%
    c,大气压力:86~106kPa
    4.2测量环境要求
    测量实验室应无振动,不允许存在电磁于扰;并保证一定的洁净条件。无腐蚀性气体。
    中华人民共和国电子工业部1998-03-18发布
    998-05-01实施
    ww. bz f XW.ceom免费下载
    SU20714-198
    5详细要求
    5.1方法提要
    Ⅹ射线受完整晶体反射的摇摆曲线半峰宽度为:
    2
    FXP
    式中:β-一半峰宽,弧度
    N一单位体积晶胞数,cm-3;
    一一ⅹ光波长
    0一布喇格角,°
    P一偏振因子;
    e、m、c一物理常数:电子电荷,电子静止质量和光速
    F一晶体结构因子。
    在晶体有缺陷时晶体完整性降低,半峰宽加大,因此半峰宽是表征晶体完整性的重要参
    数。晶体的表面加工(切、磨、抛等工艺)使其表面损伤即在表面亚损伤层中晶体的完整性
    受到破坏,将使晶体摇摆曲线半峰宽变大,因此半峰宽大小可以用来表征在具有基本相同本
    征缺陷的晶体由于晶体表面经过加工的损伤。
    5.2测量仪器
    Ⅹ射线双晶衍射仪,计算机数据采集系统。
    3测量条件
    用 Cukal辐射,一晶标准晶体为无位错硅单晶,经机械化学抛光,成镜面。采用小狭缝
    入射,双晶(+n、-m)排列,采用同一(kh1)对称反射,闪烁计数管计数。
    5.4试样制备
    试样表面应符合CJB1926中3.2.9和3.,2.10条的规定,经无水乙醇清洗应具有清浩和
    干燥表面。
    5.5选点要求
    测量点选取试样的中心点。
    5.6测试步骤
    5.6.1将样品固定在样品架上,探测器放在20位置上,调节样品日和平面角西角度,找
    到衍射峰极大值。
    5.6.2用小于每角度秒一步的扫描速度进行摇摆曲线的步进扫描,用计算机数据采集系统
    采集数据,并绘出摇摆曲线图形,从图中量出半峰宽,给出半峰宽的数据。
    5.7报告
    测量报告包括以下内容
    a.样品来源及编号;
    仪器型号;
    c.测试条件:电压,电流,一晶入射狭缝,一晶种类、方向,一晶反射晶面,样品反
    射晶面;
    SU20714-198
    d.测试日期、操作人员和测试单位;
    e.完整晶体摇摆曲线半峰宽理论值;
    f.实测摇摆曲线图形和半峰宽(以[角]秒计)。
    6说明事项
    6.1方法提要的补充说明
    在双晶行射仪中,经过两个晶体的反射,半峰宽为:
    ”=2
    0(2
    在测量中考虑到仪器宽化作用,实测的半峰宽β”大于B。晶片半峰宽越接近理论值
    说明亚损伤层小且损伤不严重,反之半峰宽很大的晶片则损伤严重。将用所测的实验数据与
    理论值进行比较可以定性表征同一批晶片的经切磨抛后的亚损伤层的情况。
    6.2摇摆曲线的测量橢度
    考虑到仪器的系统误差,摇摆曲线半峰宽的测量精度为10%
    附加说明
    本标准由中国电子技术标准化研究所归口。
    本标准由电子工业部第四十六研究所负责起草。
    本标准主要起草人:张世敏,郝建民,段光。
    计划项目代号:B65004
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