SJ 50033 13-1994 半导体分立器件 3DK210型功率开关晶体管详细规范.pdf

中华人民共和图电子行业军用标准
半导体分立器件
SJ50033/13-94
3DK210型功率开关晶体嘗详细规范
1范围
1.1主题內容
本规范觌定了3DK210A~型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按
GJB33《半导体分立器件总规范的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
1.2外形尺寸
外形尺寸应按GB7581《半导体分立器件外形尺す》的32ー01C或B2-01D型及如下规
定(兄图1)
B2·0C
B2-6I)
Ry
6x?2
符
min nom max min non mmax
u asum
2.1g12.?15
的。9.96
5,46
P13.84
Ri
R
4,82
25.0
1.3最大额定值
中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布
194-12-01实施
SJ50033/13-94
FHO
型号ro=25℃
(W)
(V)
(V)」(A)「(A)(C)
(℃
3DK210A
3DK210C
3DK210D
150
3DK210E
300
620701175
55~175
3DE210E
250
3DK210G
250
45
3DK210I
500
450
注:1)Tc>25℃,按200maW/℃的速率线性地降额。
1.4主要电特性(TA=25℃)
限值」a"aurm』_44」方
C
=10A
CE =5, OY
=1,0A
Ic=2.OA IE=0 VCE=25V
k=-1.0A
F-3.OMHZF=0. IMHALIC=4.A
Ic=10A
(MHx)(pF)「(℃/W)
max
max
In
max
max
DK20A红15~25
2
黄40~51.0「1.511.0「2.5a,6
1100
绿55~80
80~12C
注:1)kre1≤40各档,其误差不超过士20%;h:>40各档,其误差不超过士10%
2引用文件
GB4587双极型晶体管测试方法
GB7581半导体分立器件外形尺寸
GJB33半导体分立器件总规范
GJB128半导体分立器件试验方法
3求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。
3.2设汁、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定
2.1引出线材料和涂层
SJ50033/13-94
引出线材料应为可伐,引出线表面应为锡层或镍层。对引出线涂层有选择要求时,在合同
或订货单中应予规定。
3-3标
器件的标志应按GJB33的规定
4质量保证规定
4.1抽样和枪验
抽样和检验应按GJB33利本规范的规定。
4.2鉴定检验
瓷定检验应按GIB33的规定。
4.3筛选(仅对GT和CGCT级
器件的选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行,超
过本规范表规定极限值的器件应予别除。
试
(见GJB33的表2)
GT和GCT级
、中间电参数测试
Ic∞:和bF
8、功率老化
见4.3.1
9、最后测试
按本规范表1的A2分组
△Bn≤初始值的100%或300xA,取较大者
△hra1≤初始的士20‰
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下:
=162.5士12.5℃
Pa≥150W
4.4质量一致性检验
质量一致性檢验应按GJB3的规定进行。
4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。
4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和率规范表2的规定进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。
4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定
4-5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3,2.1的规定。
4.5.2热阻
SJ5033/13~-94
热阻测试应按GB4587的2.10和下列规定。
a.加功率时的lc=4.0At
b. VCE =25V
c.基准温度测试点应为管壳;
d.基准点温度范围为25℃≤Tc≤75C,实际温度应记录;
e.安装应带散热装置;
F.Ra-:的最大极限值应为.5℃/W。
4.5.3C组寿命试验
C组寿命试验应按GJB33和本规范的规定进行。
4.5.4恒定加速度
恒定加速度试验应按GJB33和本规范的规定进行。
表1A组检验
GB4587
极限值
检验或试验
LTPD符号
单位
方法
条件
min
A分组
GJ B 128
外观及机械检验
2071
A2分组
集电极一发射极本规范发射极~基极开路
CER CEO
击穿电压
附录A「em5mA
3DK210A
3DK210B
3DK210D
110
3DK210E
3DK2I0F
00
3DK210
3DK210H
3DK210
发射极一基极
2..2.2集电极一基极开路
击筹电压
I: =5MA
集电极一基极
发射极一·基极开路;
截止电流
集电极一发射极
2.1,4发射极一基极开路;
止电流
2 CEO
发射极一基极
2.2集电极一基极开路
0,6
A
截止电流
V
集电极一发射极
c=10A
1.0
饱和电压
IB=1. OA