GB∕T 36474-2018 半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法.pdf

上传人：michael2830

文档编号：43966909

上传时间：2019-10-13

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资源描述：: ICS31.200
中华人民共和国国家标准
GB/T36474--2018
半导体集成电路
第三代双倍数据速率同步动态随机
存储器(DDR3 SDRAM)测试方法
Semiconductor integrated circuit
Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access
memory(DDR3 SDRAM)
2018-06-07发布
2019-01-01实施
国家市场嗌督管理总局
中国国家标准化管理委员会发布
GB/T36474-2018
目次
前言
Ⅲl
范围…………………………
2规范性引用文件
术语和定义
般要求
和···
4.1通则
4.2功能验证的一般要求…
4.3电参数测试的测试向量
4.4电参数测试的示波器………………………………………………2
4.5测试环境
详细要求
中和··如·中·中==·和中··和中中
5.1功能验证?……………………………
5.2时钟
5.3读数据参数
5.4写数据参数…………………………………
5.5电源电流(Im)/数据管脚的电源电流(Ino
=4==========
GB/TI36474--2018
前言
本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本标准起草单位:中国电子技术标准化研究院、西安紫光国芯半导体有限公司、上海高性能集成电
路设计中心、武汉芯动科技有限公司、成都华微电子科技有限公司
本标准主要起草人:孔宪伟、殷梦迪、尹萍、巨鵬锦、高专、刘建明。
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