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类型GB∕T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法.pdf

  • 上传人:michael2830
  • 文档编号:43966909
  • 上传时间:2019-10-13
  • 格式:PDF
  • 页数:19
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    GBT 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 DDR3 SDRAM测试方法 GB 36474 2018 半导体 集成电路 第三代 双倍 数据 速率 同步 动态
    资源描述:
    ICS31.200
    中华人民共和国国家标准
    GB/T36474--2018
    半导体集成电路
    第三代双倍数据速率同步动态随机
    存储器(DDR3 SDRAM)测试方法
    Semiconductor integrated circuit
    Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access
    memory(DDR3 SDRAM)
    2018-06-07发布
    2019-01-01实施
    国家市场嗌督管理总局
    中国国家标准化管理委员会发布
    GB/T36474-2018
    目次
    前言
    Ⅲl
    范围…………………………
    2规范性引用文件
    术语和定义
    般要求
    和···
    4.1通则
    4.2功能验证的一般要求…
    4.3电参数测试的测试向量
    4.4电参数测试的示波器………………………………………………2
    4.5测试环境
    详细要求
    中和··如·中·中==·和中··和中中
    5.1功能验证?……………………………
    5.2时钟
    5.3读数据参数
    5.4写数据参数…………………………………
    5.5电源电流(Im)/数据管脚的电源电流(Ino
    =4==========
    GB/TI36474--2018
    前言
    本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草
    请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任
    本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
    本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
    本标准起草单位:中国电子技术标准化研究院、西安紫光国芯半导体有限公司、上海高性能集成电
    路设计中心、武汉芯动科技有限公司、成都华微电子科技有限公司
    本标准主要起草人:孔宪伟、殷梦迪、尹萍、巨鵬锦、高专、刘建明。
    旺杀
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