SJ 50033.16-1994 半导体分立器件.3DK307型功率开关晶体管详细规范.pdf
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- SJ 50033.16-1994 半导体分立器件.3DK307型功率开关晶体管详细规范 50033.16 1994 半导体 分立 器件 DK307 功率 开关 晶体管 详细 规范
- 资源描述:
-
中华人民共和国电子行业军用标准
半导体分立器件
SJ500331694
3DK307型功率开关晶体管详细规范
1范?
1.1主题内容
本规范规定了3DK307.A~G型NPN硅功率开关晶体管的详细要求、每种器件均按
GJB33半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的=个等级(GP、iT和GCT级)。
1.2外形尺寸
外形尺寸应按GB75811半导体分立器件外形尺寸》的B2-0iC型及如下规定(见图1):
代号
B2-01C
n3??
符号
toil
a
2.19
1.52
0,966
22.86
3.50
8.P
13.9
30.40
13.58
尺
40.13
.17
中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布
1994-12-01实施
S.J50033/1694
1.3最大额定值
CN
县
Tc25 C'
(W)
(V)
(V)
V)くA)「A)(C
3DK307.A
700
3DK307B
800
3DK30
3DK307D
100
1000
55~175
3DK307E
3DK307F
1300
3D K307G
1500
800
注:1)Tc>25C,按666mW/〔的速率线性地降额。
1.4主要电特性(Ta=25C
极限值
、=2.5A
ve=VJa=0.54A=0.5
I -0.5A/-0, 1MHZ VCE =25V
I=-0,75A
f3.0MHl』=0c=1,3A
Ir =2. 5A
(V)
MHZ>
(pF)「(C/W
型号
nax
棕7~15
3DK307A~G红15~2
概25~0?151.「1.012.11.「6
黄
绿55~8
注:1)hru:≤0各档,其误差不超过士20%;h>40各档、其误差不超过さ10%。
2引用文件
GB4587双极型晶体管测试方法
GB7581半导体分立器件外形尺寸
GJB33半导体分立器件总规范
GJB128半导体分立器件试验方法
3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的規定
2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的趔定。
3-2.1引出线材料和涂层
S50033/16-94
引出线材料应为可伐,引出线表面应为锡层或镍层。对引出线涂层有选择要求时,在合同
或订货单中应予规定
3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定
4.3筛选(仅对GT和GCT级)
器件的筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列測试应按本规范表1的规定进行,超
过本规范表1规定极限值的器件应予剔除
筛
选
测
试
(见GJB33的表2
GT和GCT级
7、中间参数测试
rwm和he
8、功率老化
见4,3.1
9,最后测试
按本规范表1的A2分组
A「sm≤初始值的100%或200aA,取较大者。
△hFr;≤初始偵的士20%
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下:
T=162.5士12,5C
CE =25V
Po≥50WV
4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按JB33的规定进行
4.4.1A组检验
A组检验应按GJB3和本规范表1的规定进行。
4,4-2B组检验
B组检验应按GJB3和本规范表2的规定进行。
4.4-3C组检验
C组检验应按GjB38和本規范表3的规定进行
4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定。
4-5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。
S.J50033/16-94
4.5.2热阻
热阻测试应按GB4587的2.10和下列规定。
a.加功率时的lc=:1.3A
b. YCE=25v
c.基准温度测试点应为管壳;
d.、基准点温度范围为25C≤T≤75C,实际温度应记录;
e.安装应带散热裝置;
f.Ra-的最大极限值应为1.5C/W
4.5.3C组寿命试验
C组寿命试验应接GJB33和本规范的规定进行。
4.5.4恒定加速度
恒定加速度试验应拨GJB33和本规范的規定进行。
表1A组检验
GB4587
极限值
检验或试验
1TP)符号
単位
方法
条件
max
A1分组
(JB128
外观及机被检验
2071
A2分组
5
缏电根一发射极本规范发射极一基板开路
HR 'E (1
击穿电压
附录Ad=5mA
3DK307A
3DK307B
3DK307C
500
DK307D
3DK307E
60
V
3DK307F
700
3DK307G
800
发射极一基极
集电极一基极开路
ER+EB)
6
击穿电压
「r=5mA
电极一基极
2.1发射极一燕极开路
A
载止电流
VSH Vcr
築电极一发射极
2.1.4发射极一基极开路
截止电流
发射极…基极
2集电极“基极开路;
0,4
MA
徴止电流
集电极一发射极
饱和电压
l=0,5A
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