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半导体器件物理基础

文档名称:半导体器件物理基础
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文档名称:半导体器件物理基础
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上传者:metalinfo
添加时间:2017/06/17
内容摘要:
半导体器件物理基础
BANDAOTI QIJIAN WULI JICHU
曾树荣编著
#第
北京大学出版社
BANDAOTI OMIAN WUL JICHU
半导体器件物理基础
贵任编辑沈承风
封面设计张虹
EN731-D545母-4
973105457定的301-45+TP:04
22.00元
半导体器件物理基础
曾树荣編著
北京大学出版社
北京
内容筒介
本书内容大体可分为两个部分。前两章为第一部分,介细学半导体器件必的知识,包括半导体
基本知识和p-n结理论;其余各章第二部分,述半导体器件的基本原理及双极型晶体管、化合物半导
体场教应昰体管、MOS器件、有波二极管和光电器件等半导体器件。
本书領明扼要,既着重于基本的半导体器件及其本知识,也涉及了半导体器件领域内的新进猥和
新概念,可作为电子信息专业特别是微电子学专业的教材或参考书,分章节供本科生和研究生使用;也可
供有关研究人员参若。
图书在版編目(CIP)据
半导体器件物理基础/曾树荣编著.一北京:北京大学出版社,2002.2
ISBN7-301-05456-4
.半…Ⅱ.曾…、半导体器件半导体物理Ⅳ.TN303
中版本图书馆CIP效椐核字(2002)第01726号

名:半导体器件物理基础
著作任者:曾树荣
责飪編辑:沈承凤
标准书号:ISBN7~301-05456-4/TP0648
出版者;北京大学出版社
地网电
址:北京市海淀区中关村北京大学校内100871
ht:http://cbs.pkueducn
话:出版部62752015发行部62754140编部62752032
排版者:兴盛达打字服务社62549189
电子信箱:zpup向pup.plau.edu.cn
印刷者:北京神剑印刷广(原国防科工委印厂
发行者:北京大学出版社
经销者:新华书店
787毫米x1092毫米16开本15,875印张395「空
202年2月第1版2002年2月第1次印刷

价:22,00元
人类已经进入21世纪,这是社会高度僧息化的世纪。计算机网络利通俏披术的进步是
信息化发展的标志。今天,无论何时何地,人们都可以高速交换信息,使区堿性很强的玟治、经
济、文化化。但是,如果没有以晶体管为碁础的微电子学的发展就谈不上个人汁算机的髙
性能和多功能,没有以激光器利光探测为主体的光电子学的发展就谈不上信息的高速传输,
也就是说不可能有现代信息技术。本书介绍微电子学和光电子学领域主要半导体器件的基本
原理、供将要从事或者正在从电子信息专业特别是微电子学专业的人员读
设电子学的主体是在以晶体管、二极管为単的各种半导体器件的基础上构成的集成电
路。1947年迷导体三极管(双极晶体管)诞生之后,半个世纪的时间内,半导体器件的理论和
制造技术飞速发展。1958年集成电路问世,标志着微电子学时代开始;1968年MOS大规模
集成电路产业化,从此集成电路的集成度一直以每3年4倍的惊人速度发展。今天,大部分的
半导体器件是用硅做的、砖集成电路占据主导地位。就高速和功率应用而言,双极晶体管-一直
孰先;住MOS场教应晶体管( MOSFET)易于小型北和功耗役小,在集成度方面占有明显的优
势,所以MOS器件集威度的提高实际上代表了当今微子学的进步。但是,殖着电子装备向
更高级发展,碰器件在许多领域不能适应,化合物半导体电子器件及集成电路成为重要的发展
方向。1966年,砷化镓肖特基枬场效品体管( Gaas MESFET)问世。其后,随者异质结技术
和超薄外延生长技术的日趋成熟,相继现了机理各异、结新额、性能忧异的各种器件。除
Caas MESFET有了长足进步之外,又接连开发了异质结双极晶体管(HBT)和高电子迁移半
晶体管(HEMI1),这些器仲已经成功地用于亳米波及超高速电路。经或正在开发的还有新
代电子器件一一聲子电子学器件,包括共振隧穿器件和各种介观器件。微电子学发展的现
状和趋势说明,这一领域生机勃勃,疯期在本世上半叶器件的理论和制造技术仍将不断取得
突破性进展。
光屯子学是在电子学的基础上吸收了光技术雨形成的一高技术学科,主体是半导体光
电子学。半导体激光器在1962年发明并在1970年实现室湿下连续工.作,以及后来各种半导
体光电器件的出现,逐渐形成了以半导体激光器和探测器为主体的光电子学。进入20世纪
80年代以活,殖着光通信等应用技术的迅猛发展,半导体光电产品的市场迅速扩大,光盘、激
光打印机、光通信系统和家用摄像杌竿都是家隃户的产品。普遍预测,到2010年,光电子产
品市场将达到可以与築成电路鬥场相比的程度。于光恵子信息技木和产业具有强大的生命
力,半导体光电子器件的研究科开发将更加受到重视。随着原子级薄膜生长和纳米级微纽加
工技术的发展,通过人-.设计的材料如异质、超晶格及量子阱(线、点)材来研制新器件,将是
半导体光电子学器件今后的发展趋势
20世纪90年代将近10年的时同内,我曾在北京大学计算科学技术系为徴电子学专业
的三年級本科生和一年級硬士牛讲授“半导体器件物理”课程,在上述认识的基础上,组织了这
了课程的教学,最編笃了这卒书
本书远非包揽所有半导体器件。半导体器件的种类很多,广泛应用于社会、经济和军事的
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